"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты нейтрализации ионов у границы раздела полупроводник--диэлектрик при объемно-зарядовой термодеполяризации МДП структур
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 2 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Методом численного моделирования анализируются проявления ионных ловушек, эффектов нейтрализации ионов и генерации неосновных носителей заряда у границы раздела диэлектрик-полупроводник в температурных зависимостях тока J(T) и высокочастотной емкости Cs(T) МДП структуры в процессе ее термостимулированной деполяризации. В общем случае даже при наличии в диэлектрике лишь одного сорта подвижных ионов кривые J(T) могут иметь три пика, обусловленных опустошением ионных ловушек, распадом нейтральных ассоциатов ион + электрон и генерацией неосновных носителей заряда. Температурная последовательность этих пиков, как и их количество (вплоть до одного), определяются соотношениями энергий активации соответствующих процессов и начальным изгибом зон в полупроводнике U0. Случаи слияния отдельных пиков, сопровождающиеся их уширением и симметризацией, могут ошибочно трактоваться как результат проявления распределенных по энергии ионных ловушек. Анализ семейств зависимостей J(T,U0,n0) и Cs(T,U0,n0) (n0 - начальная плотность частиц, ионов и нейтральных ассоциатов, локализованных в диэлектрике у границы с полупроводником) позволяет отделить чисто ионные явления от электронных, а также вклады в ток от ионных ловушек и эффектов нейтрализации и в принципе объяснить наблюдающуюся эволюцию пиков термостимулированной деполяризации при вариациях U0 и n0, не получившую до сих пор адекватного физического истолкования.
  1. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  2. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  3. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  4. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  5. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  6. K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. Japan. J. Appl. Phys., 20, 1429 (1981)
  7. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  8. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  9. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектрикров (М., Наука, 1991) с. 248
  10. J.G. Simmons, H.A. Mar. Phys. Rev. B, 8, 3865 (1973)
  11. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
  12. W. Tomaszewiez, J. Rybicki, P. Grygiel. J. Non-Cryst. Sol., 221, 84 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.