"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs / AlGaAs-гетероструктур
Герловин И.Я.1, Долгих Ю.К.1, Елисеев С.А.1, Ефимов Ю.П.1, Недокус И.А.1, Овсянкин В.В.1, Петров В.В.1, Бер Б.Я.2
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Петродворец, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

На установке молекулярно-пучковой эпитаксии ЭП-1302 выращены предельно легированные железом гетероструктуры, содержащие объемные слои GaAs и AlxGa1-xAs, а также GaAs / AlGaAs-сверхрешетки. Анализ измеренных методом масс-спектрометрии вторичных ионов профилей вхождения железа показал, что при росте на ориентированных в плоскости [100] подложках предельные концентрации железа для слоев GaAs, а также для GaAs / AlGaAs-сверхрешеток оказываются на 2 порядка меньшими, чем для тройного раствора AlGaAs. Обнаружено, что радикальное увеличение предельной концентрации Fe (вплоть до 5· 1018 см-3) в GaAs / AlGaAs-сверхрешетках может быть достигнуто при росте на подложках, вырезанных с 3o отклонением от плоскости [100]. Существенно, что при таких высоких уровнях легирования в спектрах низкотемпературного (10 K) поглощения и фотолюминесценции сверхрешеток сохраняются узкие экситонные линии. Проанализированы возможные механизмы селективного внедрения железа в GaAs / AlGaAs-гетероструктуры.
  1. M.W. Bench, C.B. Carter, F. Wang, P.I. Cohen. Appl. Phys. Lett., 66, 2400 (1995)
  2. D.R. Dykar, D.J. Eaglesham, U.D. Keil, B.I. Greene, P.N. Saete, I.N. Pfeiffer, R.F. Kopf, S.B. Darac, K.W. West. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 241, 245 (1992)
  3. M.R. Melloch, C.I. Chang, N. Otsuka, K. Mahalingam, J.M. Woodal, P.D. Kirchner. J. Cryst. Growth, 127, 499 (1993)
  4. J.J. LePore. J. Appl. Phys., 51, 6441 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.