"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Zn1-xFexTe
Гнатенко Ю.П.1, Фарина И.А.1, Гамерник Р.В.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Львовский государственный университет, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 21 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Впервые исследованы оптические и фотоэлектрические свойства новых ван-флековских полумагнитных полупроводников Zn1-xFexTe (x=<0.046). Показано, что структура длинноволнового края поглощения и спектра фотогальванического тока обусловлена фотоионизационными переходами с участием различных зарядовых состояний Fe (Fe+, Fe2+ и Fe3+). Определена концентрационная зависимость энергетического положения свободного экситона, а также положения основных уровней ионов Fe2+ (Ev+0.44 эВ) и Fe+ (Ec-0.28 эВ). Отмечено, что предельная растворимость атомов Fe в ZnTe обусловлена образованием кластеров FeTe.
  1. A. Mycielski. Acta Phys. Polon., A 73, 839 (1988)
  2. Ю.П. Гнатенко, И.А. Фарина, Р.В. Гамерник, А.С. Крочук, П.И. Бабий. ФТП, 27, 1639 (1993)
  3. C. Testelin, A. Mauger, C. Rigaux, M. Gnillot, A. Mycielski. Sol. St. Commun., 71, 923 (1989)
  4. A. Saren, B.A. Orlowski, S. Kuzminski. Acta Phys. Polon., A 79, 183 (1991)
  5. В.Г. Абрамишвили, А.В. Комаров, С.М. Рябченко, В.И. Погорелый. ФТП, 23, 575 (1989)
  6. Б.М. Вул, В.С. Иванов, В.А. Рукавишников и др. ФТП, 6, 1264 (1972)
  7. Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко, И.А. Фарина. УФЖ, 33, 24 (1988)
  8. Ю.П. Гнатенко, А.И. Жмурко. УФЖ, 30, 843 (1985)
  9. Ю.П. Гнатенко. Автореф. докт. дис. (Киев, ИФ НАН Украины, 1992)
  10. G.A. Slack, F.S. Ham, R.M. Chrenko. Phys. Rev., 152, 376 (1966)
  11. T.L. Estle, W.C. Holton. Phys. Rev., 150, 159 (1966)
  12. В.С. Блажкив, Р.В. Гамерник, Ю.П. Гнатенко, А.С. Крочук, Е.В. Смишко. УФЖ, 33, 714 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.