"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектроскопия комбинационного рассеяния пленок Zn1-xCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Водопьянов Л.К.1, Мельник Н.Н.1, Садофьев Ю.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Представлены результаты впервые проведенных измерений спектров комбинационного рассеяния света пленок Zn1-xCdxSe (x=0/0.55), выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Из анализа экспериментальных спектров показано, что в изучаемой системе Zn1-xCdxSe проявляется одномодовый характер перестройки колебательного спектра с составом.
  1. D. Olegro, P. Raccah, J. Faurie. Phys. Rev. B, 33, N 6, 3819 (1986)
  2. P. Gingo, M. De Vittorio, R. Rinald, R. Cingolani. Phys. Rev. B, 54, N 23, 16 934 (1996)
  3. M. Strassberg, V. Kutzer, U. Pohl, A. Hoffman, I. Broser, N.N. Ledentzov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I.L. Krestikov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 72, N 8, 942 (1998)
  4. B. Zhang, W. Wang, T. Uasuda, Y. Segava, K. Edamatsu, T. Itoh. Appl. Phys. Lett., 71, N 23, 3370 (1997)
  5. O. Brafman. Sol. St. Commun., 11, 447 (1972)
  6. I. Chang, S. Mitra. Adv. Phys., 20, 359 (1971)
  7. Y. Onodera, Y. Toyozawa. J. Phys. Soc. Japan, 24, 341 (1968)
  8. J. Dow, W. Packard, H. Blackstead, D. Jenkins. Dynamical properties of solids, v. 7: Phonon physics, ed. by G. Hortoy (1995) p. 349

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.