Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель перераспределения эрбия в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации кремния

Александров О.В.¹, Николаев Ю.А.¹, Соболев Н.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Развита количественная модель перераспределения примесей редкоземельных элементов в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации аморфизованных имплантацией слоев кремния. Параметрами модели являются коэффициент сегрегации примеси k и ширина переходного слоя. Перемещение фронта кристаллизации к поверхности сопровождается увеличением коэффициента сегрегации со скоростью, характеризующейся отношением толщины перекристаллизованного слоя к ширине переходного слоя. Увеличение k связывается с накоплением дефектов в переходном слое. В случае тонкого Er-содержащего аморфного слоя коэффициент сегрегации не достигает значений k=1, вследствие чего примесь оттесняется к поверхности. В случае более толстого Er-содержащего слоя коэффициент сегрегации превосходит значение k=1, препятствуя накоплению примеси вблизи поверхности.

Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
А.Ф. Вяткин. Поверхность, вып. 4, с. 5 (1991)
G.L. Olson, J.A. Roth. In.: Handbook of crystal growth, ed. by D.T.J. Hurle (1994) v. 3. p. 257
J.S. Custer, A. Polman, H.M. van Pinxteren. J. Appl. Phys., 75, 2809 (1994)
A. Polman, J.S. Custer, P.M. Zagwijn, A.M. Molenbroek, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 81, 150 (1997)
A. Polman, J.S. Custer, E. Snoeks, G.N. van den Hoven. Appl. Phys. Lett., 62, 507 (1993)
D. Moutonnet, H. L'Haridon, P.N. Favennec, M. Salvi, M. Gauneau. Mater. Sci. Eng. B, 4, 75 (1989)
W.P. Gillin, Zhang Jingping, B.J. Sealy. Sol. St. Commun., 77, 907 (1991)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Kudryavtsev, R.N. Kyutt, M.I. Makovijchuk, Yu.A. Nikolaev, E.O. Parshin, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh. Sol. St. Phenomena, 57--58, 213 (1997)
В.Р. Реньян. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1969)
Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов (М., Высш. шк., 1990)
А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель