"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние кислорода на процессы ионно-лучевого синтеза скрытых слоев карбида кремния в кремнии
Артамонов В.В.1, Валах М.Я.1, Клюй Н.И.1, Мельник В.П.1, Романюк А.Б.1, Романюк Б.Н.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Методами комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии исследованы свойства кремниевых структур со скрытыми слоями карбида кремния (SiC), сформированными высокодозовой имплантацией ионов углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Также изучено влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на особенности формирования скрытого слоя SiC. Показано, что при одинаковых режимах имплантации и постимплантационного отжига скрытый слой SiC более эффективно формируется в пластинах Cz-Si либо в Si (Cz или Fz), подвергнутом дополнительной имплантации ионов кислорода. Таким образом, кислород способствует формированию слоя SiC благодаря образованию преципитатов SiOx и аккомодации объема в области формирования фазы SiC. Также обнаружен эффект сегрегации углерода и формирования аморфной углеродной пленки на границах зерен SiC.
  1. Gary L. Garris. Properties of Silicon Carbide (London, INSPEC, 1995)
  2. G. Pensl, T. Troffer. Sol. St. Phenomena, 45--48, 115 (1996)
  3. P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov. Semicond. Sci. Technol., 7, 863 (1992)
  4. J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, Jr. Carter. Physica B, 185, 461 (1993)
  5. L.T. Canham, M.R. Dyball, K.G. Barraclough. Mater. Sci. Eng. B, 4, 951 (1990)
  6. K.J. Reeson, J. Stoememos, P.L.F. Hemment. Thin Sol. Films., 191, 147 (1990)
  7. A. Nejim, P.L.F. Hemment, J. Stoemenos. Appl. Phys. Lett., 66, 2646 (1995)
  8. C. Serre, A. Perez-Rodriguez, A. Romano-Rodriguez. Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology, Catania, 1994 (Amsterdam, Elsevier, 1995) p. 32
  9. N.I. Klyui, D. Kruger, B.N. Romanyuk, V.G. Litovchenko, H. Richter. Sol. St. Phenomena, 47--48, 211 (1996)
  10. A. Auberton-Herve, A. Witkower, B. Aspar. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 96, 420 (1995)
  11. L.T. Canham, K.G. Barnaclough, D.J. Roberts. Appl. Phys. Lett., 51, 1509 (1987)
  12. Б.Н. Романюк, В.П. Мельник, Р.И. Марченко, Н.И. Клюй. Поверхность, N 1, 83 (1993)
  13. П.А. Александров, Е.К. Баранова, А.Е. Городецкий, К.Д. Демаков, О.Г. Кутукова, С.Г. Шемардов. ФТП, 22, 731 (1988)
  14. S.L. Ellingboe, M.C. Ridgway. Mater. Sci. Eng. B, 29, 29 (1995)
  15. J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63, 87 (1988)
  16. H. Okumura, E. Sakuma, J.H. Lee, H. Mukaida, S. Misawa, K. Endo, S. Yishida. J. Appl. Phys., 61, 1134 (1987)
  17. Y. Sasaki, Y. Nishima, M. Sato, K. Okumura. Phys. Rev. B, 40, 17 621 (1989)
  18. M. Yoshikawa. Mater. Sci. Forum, 52\&53, 365 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.