Влияние кислорода на процессы ионно-лучевого синтеза скрытых слоев карбида кремния в кремнии
Артамонов В.В.1, Валах М.Я.1, Клюй Н.И.1, Мельник В.П.1, Романюк А.Б.1, Романюк Б.Н.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Методами комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии исследованы свойства кремниевых структур со скрытыми слоями карбида кремния (SiC), сформированными высокодозовой имплантацией ионов углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Также изучено влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на особенности формирования скрытого слоя SiC. Показано, что при одинаковых режимах имплантации и постимплантационного отжига скрытый слой SiC более эффективно формируется в пластинах Cz-Si либо в Si (Cz или Fz), подвергнутом дополнительной имплантации ионов кислорода. Таким образом, кислород способствует формированию слоя SiC благодаря образованию преципитатов SiOx и аккомодации объема в области формирования фазы SiC. Также обнаружен эффект сегрегации углерода и формирования аморфной углеродной пленки на границах зерен SiC.
- Gary L. Garris. Properties of Silicon Carbide (London, INSPEC, 1995)
- G. Pensl, T. Troffer. Sol. St. Phenomena, 45--48, 115 (1996)
- P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov. Semicond. Sci. Technol., 7, 863 (1992)
- J.W. Palmour, J.A. Edmond, H.S. Kong, Jr. Carter. Physica B, 185, 461 (1993)
- L.T. Canham, M.R. Dyball, K.G. Barraclough. Mater. Sci. Eng. B, 4, 951 (1990)
- K.J. Reeson, J. Stoememos, P.L.F. Hemment. Thin Sol. Films., 191, 147 (1990)
- A. Nejim, P.L.F. Hemment, J. Stoemenos. Appl. Phys. Lett., 66, 2646 (1995)
- C. Serre, A. Perez-Rodriguez, A. Romano-Rodriguez. Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology, Catania, 1994 (Amsterdam, Elsevier, 1995) p. 32
- N.I. Klyui, D. Kruger, B.N. Romanyuk, V.G. Litovchenko, H. Richter. Sol. St. Phenomena, 47--48, 211 (1996)
- A. Auberton-Herve, A. Witkower, B. Aspar. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 96, 420 (1995)
- L.T. Canham, K.G. Barnaclough, D.J. Roberts. Appl. Phys. Lett., 51, 1509 (1987)
- Б.Н. Романюк, В.П. Мельник, Р.И. Марченко, Н.И. Клюй. Поверхность, N 1, 83 (1993)
- П.А. Александров, Е.К. Баранова, А.Е. Городецкий, К.Д. Демаков, О.Г. Кутукова, С.Г. Шемардов. ФТП, 22, 731 (1988)
- S.L. Ellingboe, M.C. Ridgway. Mater. Sci. Eng. B, 29, 29 (1995)
- J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63, 87 (1988)
- H. Okumura, E. Sakuma, J.H. Lee, H. Mukaida, S. Misawa, K. Endo, S. Yishida. J. Appl. Phys., 61, 1134 (1987)
- Y. Sasaki, Y. Nishima, M. Sato, K. Okumura. Phys. Rev. B, 40, 17 621 (1989)
- M. Yoshikawa. Mater. Sci. Forum, 52\&53, 365 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
