Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика накопления радиационных дефектов при глубоком электронном облучении сплавов Pb_1-xSn_xSe

Скипетров Е.П.¹, Ковалев Б.Б.¹, Скипетрова Л.А.¹, Зверева Е.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована кинетика изменения концентрации электронов в облученных электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 7.1·10¹⁷ см^-2) сплавах n-Pb_1-xSn_xSe (x=0.2, 0.25) в окрестности перехода металл-диэлектрик, индуцированного электронным облучением. Путем сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей концентрации электронов от потока облучения определены основные параметры энергетического спектра облученных сплавов. Показано, что согласование теоретических и экспериментальных данных возможно лишь при введении предположения об уменьшении скорости генерации радиационных дефектов с ростом потока облучения, и предложена модель, согласно которой основным механизмом дефектообразования в исследованных сплавах является образование комплексов первичных радиационных дефектов со структурными дефектами, характерными для исходных кристаллов.

E.P. Skipetrov, V.P. Dubkov, B.B. Kovalev. Semicond. Sci. Technol., 4, 831 (1989)
Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. ФНТ, 22, 870 (1996)
E.P. Skipetrov. Sol. St. Commun., 69, 1053 (1989)
J.O. Dimmock. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors ed. by D.L. Carter and R.T. Bate (Pergamon Press, N.Y., 1971) p. 319
Н.Б. Брандт, Я.Г. Пономарев, Е.П. Скипетров. ФТТ, 29, 3233 (1987)
Н.А. Витовский, М. Максимов, Т.В. Машовец. ФТП, 4, 2276 (1970)
Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась, В.В. Хайновская. ФТП, 5, 85 (1971)
В.Д. Ткачев, В.И. Уренев. ФТП, 5, 1516 (1971)
Т.В. Машовец, В.В. Емцев, С.Н. Абдурахманова. ФТП, 8, 96 (1974)
В.Ф. Стась. В кн.: Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977) гл. 4. с. 112

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель