"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномалия в плотности состояний и туннельная проводимость контактов Au/p-GaAs0.94Sb0.06 вблизи перехода металл--диэлектрик
Аллен Т.Ю.1, Нажмудинов Х.Г.2, Полянская Т.А.2
1University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Исследована аномалия туннельного тока при напряжении смещения V-> 0 на контактах Au/p-GaAs0.94Sb0.06. Эпитаксиальные слои твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 были легированы германием и имели проводимость, близкую к переходу металл-диэлектрик. Наблюдалась корневая зависимость дифференциальной проводимости G(V)=(dV/dI)-1 при малых значениях V>kT, предсказанная теорией Альтшулера-Аронова для квантовых поправок к плотности состояний на уровне Ферми в разупорядоченном проводнике. Обнаружено удовлетворительное согласие экспериментальных данных с теорией при концентрации дырок в слоях (p), больших критической концентрации перехода металл-диэлектрик pc, но при p<pc относительная величина аномалии резко уменьшается. Это подтверждает особенность условия kFl<= 1 (вместо kFl>> 1) для применимости теории аномалии в плотности состояний, возникающей из-за электрон-электронных взаимодействий, в трехмерном электронном газе.
  1. Туннельные явления в твердых телах (М. Мир, 1973). [пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solid] (N. Y., Plenum, 1969)
  2. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Physica, 126B, 314 (1984)
  3. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers, B.V., 1985) Ch. 1, p. 1
  4. P.A. Lee, T.V. Ramakrishman. Peports Mod. Phys., 57, 287 (1985)
  5. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Sol. St. Commun., 30, 115 (1979)
  6. Б.И. Шкловский,А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  7. R.C. Dynes, J.P. Garno. Phys. Rev. Lett., 46, 137 (1981)
  8. R. Sood. Phys. Rev. B, 25, 6064 (1982)
  9. Y. Imry, Z. Ovadyahu. Phys. Rev. Lett., 49, 841 (1982)
  10. W.L. McMillan, J. Mochal. Phys. Rev. Lett., 46, 556 (1981)
  11. G. Hertel, D.J. Bishop, E.G. Spencer, J.M. Rowell, R.C. Dynes. Phys. Rev. Lett., 50, 743 (1971)
  12. N.A. Mora, S. Bermon, J.J. Loferski. Phys. Rev. Lett., 27, 664 (1971)
  13. G. Mahan, J.W. Conley. Appl. Phys. Lett., 11, 29 (1967)
  14. N.A. Mora, S. Bermon, F.N. Pollak. Phys. Rev. Lett., 28, 225 (1972)
  15. N.A. Mora, J.J. Loferski, S. Bermon. Proc. Int. Conf. on radiation, damage and defects in semiconductors, Reading, Berks, England, 19--21 July 1972 (Inst. Phys., 1973) p. 103
  16. К.П. Абдурахманов, Ш. Мирахмедов, А. Ташабаев, С.С. Худайбердиев. ФТП, 10, 658 (1976)
  17. Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, И.Г. Савельев. ФТП, 32, 579 (1998)
  18. Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов, И.Г. Савельев. ФТП, 32, 574 (1998)
  19. В.Г. Каряев, Х.Г. Нажмудинов, М.В. Егорова, И.Г. Савельев. ФТП, 20, 1634 (1986)
  20. Л.В. Шаронова, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, В.Н. Каряев, Л.А. Зайцева. ФТП, 22, 93 (1988)
  21. Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская. ФТП, 22, 381 (1988)
  22. T.Yu. Bilgildeeva, T.A. Polyanskaya. Phys. St. Sol. (b), 149, 649 (1988)
  23. Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская. ФТП, 31, 587 (1997)
  24. A.H. Wilson. Proc. Roy. Soc. A, 136, 487 (1932)
  25. J. Conley, G. Mahan. Phys. Rev., 161, 681 (1967)
  26. W.L. McMillan, J.M. Mochel. Phys. Rev. Lett., 46, 556 (1981)
  27. G. Vignale, W. Hanke. Phys. Rev. B, 36, 2924 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.