Влияние электрон-фононного энергообмена на распространение тепловых волн в полупроводниках
Гуревич Ю.Г.1, Гонзалез де ла Круз Г.1, Логвинов Г.Н.2, Касянчук М.Н.2
1Departamento de Fisica, Centro de Investigacion y de Estudios Avanzados del Instituto Politecnico Nacional, Apartado Postal 14-740, Mexico, Distrito Federal, Mexico
2Тернопольский государственный педагогический университет, Тернополь, Украина
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.
С учетом электрон-фононного взаимодействия самосогласованно рассчитаны неравновесные периодические в пространстве и времени температурные распределения в электронной и фононной подсистемах геометрически ограниченного полупроводника (тепловые волны). Внешним источником энергетической неравновесности является модулированное лазерное излучение, которое на поверхности образца конвертируется в тепло. Проанализированы зависимости амплитуды и фазы электронной и фононной температур от частоты модуляции для разных толщин образца и ряда характерных параметров задачи. Показано, что, изменяя частоту модуляции в широких пределах (до частоты энергетического электрон-фононного взаимодействия), тепловые волны можно генерировать в электронной и фононной подсистемах в отдельности.
- A. Mandelis. Photoacoustic and thermal waves phenomena in semiconductors (North-Holland, 1978)
- H. Vargas, L.C. Miranda. Phys. Rep., 161, 43 (1988)
- Progress in Photothermal and Photoacoustic Science and Technology, ed. by A. Mandelis (Prentise Hall, N. Y., 1994)
- A. Rosencwaig, A. Gersho. J. Appl. Phys., 47, 64 (1976)
- В.А. Сабликов, В.Б. Сандомирский. ФТП, 17, 81 (1983)
- V.A. Sablikov, V.B. Sandomirski. Phys. St. Sol. (b), 120, 471 (1983)
- А.Н. Васильев, В.А. Сабликов, В.Б. Сандомирский. Изв. вузов МВ и ССО СССР. Физика, N 6, 119 (1987)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
- Г.Н. Логвинов. ФТП, 25, 1815 (1991)
- G. Gonzales de la Cruz, Yu.G. Gurevich. J. Appl. Phys., 80, 1726 (1996)
- Г.I. Булах, О.В. Волчанський, I.Я. Кучеров. УФЖ, 40, 1228 (1995)
- Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: R.A. Smith. Semiconductors (Cambridge Univ. Press, Cambridge e.a., 1978)]
- T.N. Sitenko, V.T. Layashenko, I.P. Tyagulski. Phys. St. Sol. (a), 9, 51 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук