Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) слоев GaAs (100), (111)A и (111)B, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при различных соотношениях парциальных давлений P_As4/P_Ga=gamma. В зависимости от кристаллографической ориентации и величины gamma в спектрах ФЛ этих слоев наблюдаются либо две (B-Si-полосы), либо одна B-полоса ФЛ. B-полоса соответствует межзонной излучательной рекомбинации (e-> h), а Si-полоса была приписана оптическим переходам между зоной проводимости и акцепторными состояниями Si (e-> A). Обнаруженные вариации формы спектра ФЛ, величины и типа проводимости исследуемых слоев в зависимости от их ориентации и величины gamma интерпретированы, исходя из изменений концентрации акцепторов Si, их энергетического спектра, а также изменения соотношения концентраций донорных и акцепторных состояний Si. Представленные результаты анализируются в рамках кинетического подхода, базирующегося на различии кратности (энергии) свободных химических связей на различных поверхностях с учетом влияния плотностей молекулярных потоков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.