"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1, Голикова О.А.2, Казанин М.М.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Приведены результаты исследования кинетики темновой проводимости пленок a-Si:H, полученных при температурах Ts=300/390oC, после кратковременной засветки и в процессе длительной засветки. Получены данные о релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний, связанных с положением равновесного уровня Ферми.
  1. M. Stutzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)
  2. R.S. Crandal. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
  3. N. Nata, A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 164--166, 231 (1993)
  4. D. Caputo, G. De Cesare, F. Irrera et al. J. Non-Cryst. Sol., 170, 278 (1994)
  5. О.А. Голикова. ФТП, 25, 517 (1991)
  6. J.K. Ratl, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
  7. И.А. Курова, Э.В. Ларина, Н.Н. Ормонт, Д.В. Сенашенко. ФТП, 31, 1455 (1997)
  8. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 31, 536 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.