"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур для сине-зеленых лазеров на основе ZnSe
Иванов С.В.1, Торопов А.А.1, Сорокин С.В.1, Шубина Т.В.1, Ильинская Н.Д.1, Лебедев А.В.1, Седова И.В.1, Копьев П.С.1, Алферов Ж.И.1, Лугауэр Х.Д.2, Решер Г.2, Кайм М.2, Фишер Ф.2, Вааг А.2, Ландвер Г.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики университета г. Вюрцбурга, Германия
Поступила в редакцию: 20 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Hagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku. Appl. Phys. Lett., 70, 1417 (1997)
  2. S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, M. Ikeda. Electron. Lett., 32, 552 (1996)
  3. J.M. Gaines, R.R. Drenten, K.W. Haberern, T. Marshell, D. Mensz, J.Petruzzello. Appl. Phys. Lett., 62, 2462 (1993)
  4. A. Waag, F. Fischer, K. Schull, T. Baron, H.-J. Lugauer, Th. Litz, U. Zehnder, W. Ossau, T. Gerhardt, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 1 (1997)
  5. E.S. Oh, S.D. Lee, H.D. Jung, J.R. Kim, M.D. Kim, B.J. Kim, J.K. Ji, H.S. Park, T.I. Kim, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina. J. Appl. Phys., 80, 5951 (1996)
  6. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
  7. T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 596 (1998)
  8. D.C. Houghton, M. Davies, M. Dion. Appl. Phys. Lett., 64, 505 (1994)
  9. B.J. Wu, L.H. Kuo, J.M. DePuydt, G.M. Haugen, M.A. Haase, L. Salamanca--Riba. Appl. Phys. Lett., 68, 379 (1996)
  10. J.W. Matthews, A.S. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  11. R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  12. A. Waag, Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lugauer, T. Baron, K. Schull, U. Zehnder, T. Gerhardt, U. Lunz, M. Keim, G. Reuscher, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 184/185, 1 (1998)
  13. S.V. Ivanov, R.N. Kyutt, G.N. Mosina, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155: Chapter 3, p. 223]
  14. S. Sorokin, S. Ivanov, A. Toropov, T. Shubina, I. Sedova, M. Tkatchman, P. Kop'ev, Zh. Alferov. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 206
  15. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
  16. A.A. Toropov, S.V. Inanov, T.V. Shubina, A.V. Lebedev, L.M. Sorokin, S.V. Sorokin, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 210

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.