Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe

Ершов А.В.¹, Машин А.И.¹, Хохлов А.Ф.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты изучения электрических свойств пленок a-SiGe с содержанием Ge ~ 2.2 ат%, полученных испарением из раздельных источников Si и Ge и ионно-легированных примесями замещения (B⁺ и P⁺), а также результаты по направленной компенсации примеси при ионном легировании. Обнаружено, что при введении примесей в a-SiGe в диапазоне доз 1.3·10¹⁴/1.3·10¹⁷ см^-2 и отжиге при 350^oC проводимость пленок увеличивается от 10^-9 до 10^-4 и 10^-5 См/см при легировании B⁺ и P⁺ соответственно. При этом положение уровня Ферми изменяется от (E_v+0.27) до (E_c-0.19) эВ. При дополнительном легировании примесью противоположного типа проявляется эффект компенсации "примесной" проводимости. Обнаружено, что эффективность легирования a-SiGe бором выше, чем фосфором.

А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991). [Пер. с англ.: A. Madan, M. Shaw. The Physics and Applications of Amorphous Semiconductors (Boston--San Diego--N.Y.--London--Sydney--Tokyo--Toronto, Academic Press, 1988)]
A.F. Khokhlov, A.I. Mashin, A.V. Ershov, Yu.A. Mordvinova. Phys. St. Sol. (a), 94, 379 (1986)
A.V. Ershov, A.A. Ezhevskii, A.F. Khokhlov, D.A. Khokhlov, A.I. Mashin, N.I. Mashin. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 106, 257 (1995)
А.В. Ершов, В.Ю. Зверев, А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, Н.И. Машин. В кн.: Материалы росс. конф. "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов", 12--14 марта 1996, Н.Новгород (Н.Новгород, ННГУ, 1996) с. 67
А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, А.В. Ершов, Н.И. Машин, Е.В. Ларина. ФТП, 19, 2204 (1985)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press --- Oxford, 1979)]
H.-J. Hoffman. J. Appl. Phys., 18, 427 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель