Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H
1Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.
Проведено исследование влияния циклов прогрев-засветка на электрофизические свойства аморфного кремния, полученного ВЧ разложением силана. На основе сравнения экспериментальных и теоретических результатов сделан вывод о том, что фотоиндуцированная деградация a-Si : H (эффект Стаблера-Вронского) может быть связана с долговременными релаксациями структурных образований, вызванных предварительным отжигом материала.
- D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
- С.Б. Алдабергенова, В.Г. Карпов, К.В. Коугия, А.Б. Певцов, В.Н. Соловьев, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 32(12), 3599 (1990)
- L. Xu, G. Winboume, M. Silver, V. Canella, T. McGill. Phil. Mag. B, 57, 715 (1988)
- С.Б. Алдабергенова, А.А. Андреев, А.Я. Виноградов, К.В. Коугия, Т.А. Сидорова. Тр. Межд. конф. "Некристаллические полупроводники-89" (Ужгород, 1988) с. 222
- R.A. Street, C.C. Tsai, J. Kakalious. Phil. Mag. B, 56, 305 (1987)
- G.L. Kong, D.L. Zhang, Y.P. Zhao, X.B. Liao. Sol. St. Phenomena, 44--46, 677 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
