"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Долговременные структурные релаксации и фотоиндуцированная деградация в a-Si : H
Коугия К.В.1, Певцов А.Б.2
1Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Проведено исследование влияния циклов прогрев-засветка на электрофизические свойства аморфного кремния, полученного ВЧ разложением силана. На основе сравнения экспериментальных и теоретических результатов сделан вывод о том, что фотоиндуцированная деградация a-Si : H (эффект Стаблера-Вронского) может быть связана с долговременными релаксациями структурных образований, вызванных предварительным отжигом материала.
  1. D.L. Staebler, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977)
  2. С.Б. Алдабергенова, В.Г. Карпов, К.В. Коугия, А.Б. Певцов, В.Н. Соловьев, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 32(12), 3599 (1990)
  3. L. Xu, G. Winboume, M. Silver, V. Canella, T. McGill. Phil. Mag. B, 57, 715 (1988)
  4. С.Б. Алдабергенова, А.А. Андреев, А.Я. Виноградов, К.В. Коугия, Т.А. Сидорова. Тр. Межд. конф. "Некристаллические полупроводники-89" (Ужгород, 1988) с. 222
  5. R.A. Street, C.C. Tsai, J. Kakalious. Phil. Mag. B, 56, 305 (1987)
  6. G.L. Kong, D.L. Zhang, Y.P. Zhao, X.B. Liao. Sol. St. Phenomena, 44--46, 677 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.