"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости квантово-размерных слоев структур InAs / Ga(In)As, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Алешкин В.Я.1, Звонков Б.Н.2, Малкина И.Г.2, Сафьянов Ю.Н.2, Филатов Д.О.3, Чернов А.Л.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Региональный центр сканирующей зондовой микроскопии при Научно-исследовательском физико-техническом институте, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1998 г.

Исследована линейная поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости структур InAs / Ga(In)As. Обнаружено, что она зависит от несимметричности профиля квантовой ямы, возникновения квантовых точек, наличия включений в твердых растворах.
  1. R. Sooryakumar, D.S. Chemla, A. Pinchuk, A.C. Gossard, W. Wiegmann, L.J. Sham. Sol. St. Commun., 54, 859 (1985)
  2. K. Fujiwara, N. Tsukada, N. Nakayama, T. Nishino. Sol. St. Commun., 69, 63 (1989)
  3. D. Gershoni, I. Brener, G.A. Baraff, S.N.G. Chu, L.N. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. B, 44, 1930 (1991)
  4. K. Uppal, D. Tishinin, P.D. Dapkus. J. Appl. Phys., 81, 390 (1997)
  5. G. Malkina, V.Ya. Aleshkin, B.N. Zvonkov, Yu.N. Saf'yanov. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 61 (1997)
  6. X. Marie, J. Barrau, B. Brousseau, Th. Amand, M. Brousseau, E.V.K. Rao, F. Alexandre. J. Appl. Phys., 69, 812 (1991)
  7. D. Gershoni, H. Temkin. J. Luminecs., 44, 381 (1989)
  8. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука. 1972)
  9. S. Jorda, U. Rossler. Superlatt. Microstr., 8, 481 (1990)
  10. E.L. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rossler. Phys. Rev. B, 54, 5852 (1996)
  11. W.L. Wang, J.L. Liao, B. Xu, Zh. Zhu, B. Yang. Appl. Phys. Lett., 66, 1080 (1995)
  12. Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31, 1100 (1997)
  13. Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, И.Г. Малкина, Д.О. Филатов, А.Л. Чернов. Письма ЖЭТФ, 63, 418 (1996)
  14. Г.А. Максимов, Д.О. Филатов. Матер. 2-го всесоюзн. совещ. СЗМ-98 (Нижний Новгород, 1998) с. 105
  15. A. Chandra, C.E.C. Wood, D.W. Woodard, L.F. Eastman. Sol. St. Electron., 22, 645 (1979)
  16. O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 66, 52 (1995)
  17. G. Bastard, C. Delalande, Y. Guldner, P. Voisin. Adv. Electron. and Electron. Phys., 72, 1 (1988); C. Weisbuch, B. Vinter. In: Quantum Semiconductor Structures, ed. by H.B. Jovanovich (Academic Press, INC. San Diego, CA, 1991)
  18. В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
  19. A. Zunger, S. Mahajan. In: Handbook on Semiconductors (Elsevier, Amsterdam, 1994) v. 3
  20. G.S. Horner, A. Mascarenhas, R.G. Alonso, D.G. Friedman, K. Sinha, K.A. Bertness, J.G. Zhu, J.M. Olson. Phys. Rev. B, 48, 4944 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.