"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe
Немов С.А.1, Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1, Осипов П.А.1, Прошин В.И.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Изучена самокомпенсация в массивных образцах PbSe : (Bi, Seex), изготовленных металлокерамическим методом. Исследована зависимость концентрации носителей тока при различных содержаниях висмута от величины избытка селена. Сравнением экспериментальных данных с расчетными показано, что компенсация донорного действия висмута, размещенного в катионной подрешетке, осуществляется двукратно ионизованными вакансиями свинца. В некоторых сериях образцов на зависимости концентрации носителей тока от избытка селена наблюдались немонотонности, связанные с размещением атомов Bi как в катионной, так и в анионной подрешетке.
  1. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980)
  2. С.А. Немов, М.К. Житинская, В.И. Прошин. ФТП, 25, 114 (1991)
  3. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимов, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца --- PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  4. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе A-=SUP=-IV-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1975)
  5. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов. ФТП, 29, 309 (1995)
  6. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.