"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале температур 500--700oC
Берт Н.А.1, Мусихин Ю.Г.1,2, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Семягин Б.Р.3, Суворова А.А.1, Чалдышев В.В.1, Werner P.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Max-Plank Institut fur Mikrostrukturphysik, D-- Halle, Germany
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура delta-слоев индия в GaAs (001), выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой (200oC) температуре (LT) и содержащем высокую концентрацию (~1020 см-3) точечных дефектов. Установлено, что при delta-легировании индием в количестве, эквивалентном 0.5 или 1 монослою (МС), из-за неровности ростовой поверхности образуются островки InAs с характерным латериальным размером <10 нм, распределенные главным образом по четырем соседним атомным слоям, т. е. толщина индийсодержащего слоя составляет 1.12 нм. При последующем отжиге, несмотря на относительно низкие температуры, происходит существенное уширение индийсодержащих слоев, обусловленное взаимодиффузией In и Ga, усиленной наличием в LT-GaAs высокой концентрации точечных дефектов, в частности, VGa. По измерениям толщины индийсодержащих слоев при различных температурах отжига коэффициент взаимодиффузии определен как DIn-Ga=5.1x10-12exp(-1.08 эВ/kT) см2/с, и он более чем на порядок превышает DIn-Ga для стехиометрического GaAs при 700oC.
  1. F.N. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Manfra, L.J. Mahoney. IEEE EDL, 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, Z. Rek. J. Vac. Sci. Technol., B7, 710 (1989)
  3. M.R. Melloch, D.C. Miller, B. Das. Appl. Phys. Lett., 54, 943 (1989)
  4. M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kircher, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61, 177 (1992)
  5. Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995).
  6. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu. G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
  7. U. Gosele, T.U. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz, O. Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143--147, 1079 (1997)
  8. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  9. C. Kisielovski, A.R. Calawa, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 80, 156 (1996)
  10. J.C.P. Chang, J.M. Woodal, M.R. Melloch, I. Lahiri, D.D. Nolte, N.Y. Li, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 67, 3491 (1995)
  11. I. Lahiri, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, J.M. Woodal, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 67, 1244 (1995)
  12. I. Lahiri, D.D. Nolte, M.R. Melloch, J.M. Woodal, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 69, 239 (1996)
  13. J.C. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79, 644 (1994)
  14. R.E. Mallard, N.J. Long, G.R. Booker, E.G. Scott, M. Hockly, M. Taylor. J. Appl. Phys., 70, 182 (1991)
  15. J.-L. Rouviere, Y. Kim, J. Cuningham, J.A. Rentscsler, A. Bourett, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
  16. M.P.A. Viegers, A.F. de Jong, M.R. Leys. Spectrochim. Acta, 40B, 835 (1985)
  17. A. Ourmazd. J. Cryst. Growth, 98, 72 (1989)
  18. Y. Kim, A. Ourmazd, M. Bode, D. Feldman. Phys. Rev. Lett., 63, 636 (1989)
  19. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
  20. W. Feng, F. Chen, W.Q. Cheng, Q. Huang, J.M. Zhou. Appl. Phys. Lett., 71, 1676 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.