Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале температур 500--700^oC

Берт Н.А.¹, Мусихин Ю.Г.^1,2, Преображенский В.В.³, Путято М.А.³, Семягин Б.Р.³, Суворова А.А.¹, Чалдышев В.В.¹, Werner P.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Max-Plank Institut fur Mikrostrukturphysik, D-- Halle, Germany
³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 1997 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована микроструктура delta-слоев индия в GaAs (001), выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой (200^oC) температуре (LT) и содержащем высокую концентрацию (~10²⁰ см^-3) точечных дефектов. Установлено, что при delta-легировании индием в количестве, эквивалентном 0.5 или 1 монослою (МС), из-за неровности ростовой поверхности образуются островки InAs с характерным латериальным размером <10 нм, распределенные главным образом по четырем соседним атомным слоям, т. е. толщина индийсодержащего слоя составляет 1.12 нм. При последующем отжиге, несмотря на относительно низкие температуры, происходит существенное уширение индийсодержащих слоев, обусловленное взаимодиффузией In и Ga, усиленной наличием в LT-GaAs высокой концентрации точечных дефектов, в частности, V_Ga. По измерениям толщины индийсодержащих слоев при различных температурах отжига коэффициент взаимодиффузии определен как D_In-Ga=5.1x10^-12exp(-1.08 эВ/kT) см²/с, и он более чем на порядок превышает D_In-Ga для стехиометрического GaAs при 700^oC.

F.N. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Manfra, L.J. Mahoney. IEEE EDL, 9, 77 (1988)
M. Kaminska, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, R. Leon, Z. Rek. J. Vac. Sci. Technol., B7, 710 (1989)
M.R. Melloch, D.C. Miller, B. Das. Appl. Phys. Lett., 54, 943 (1989)
M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kircher, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61, 177 (1992)
Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995).
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu. G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
U. Gosele, T.U. Tan, M. Schultz, U. Egger, P. Werner, R. Scholz, O. Breitenstein. Def. Dif. Forum, 143--147, 1079 (1997)
X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
C. Kisielovski, A.R. Calawa, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 80, 156 (1996)
J.C.P. Chang, J.M. Woodal, M.R. Melloch, I. Lahiri, D.D. Nolte, N.Y. Li, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 67, 3491 (1995)
I. Lahiri, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, J.M. Woodal, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 67, 1244 (1995)
I. Lahiri, D.D. Nolte, M.R. Melloch, J.M. Woodal, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 69, 239 (1996)
J.C. Tsang, C.P. Lee, S.H. Lee, K.L. Tsai, C.M. Tsai, J.C. Fan. J. Appl. Phys., 79, 644 (1994)
R.E. Mallard, N.J. Long, G.R. Booker, E.G. Scott, M. Hockly, M. Taylor. J. Appl. Phys., 70, 182 (1991)
J.-L. Rouviere, Y. Kim, J. Cuningham, J.A. Rentscsler, A. Bourett, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
M.P.A. Viegers, A.F. de Jong, M.R. Leys. Spectrochim. Acta, 40B, 835 (1985)
A. Ourmazd. J. Cryst. Growth, 98, 72 (1989)
Y. Kim, A. Ourmazd, M. Bode, D. Feldman. Phys. Rev. Lett., 63, 636 (1989)
J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
W. Feng, F. Chen, W.Q. Cheng, Q. Huang, J.M. Zhou. Appl. Phys. Lett., 71, 1676 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель