"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности релаксации электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах с глубокими примесными уровнями
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1998 г.

Численно исследована релаксация поля и тока при выключении сильно поглощаемого света в высокоомной структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДПДМ), содержащей значительную концентрацию глубоких примесных уровней. Установлено, что зависимость распределения поля от времени определяется соотношением времен тепловой генерации примесью электронов taun и дырок taup. В случае taun>> taup изменение поля в толще полупроводника немонотонно со временем. Дрейф фотогенерированных носителей после прекращения освещения приводит к образованию области отрицательного объемного заряда повышенной плотности и значительному росту поля вблизи анода. Его максимальная величина достигает 5/6 значений среднего поля Ee=V/d. Учет дополнительной инжекции дырок с анода приводит к возрастанию тока, ограничению максимума поля у анода и заметному ускорению релаксации поля к темновому распределению.
  1. М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
  2. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  3. И.Т. Овчинников, Э.В. Яншин. Письма ЖТФ. 8, 355 (1982)
  4. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт N 1091 (Л., ФТИ, 1986)
  5. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
  6. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, Вып. 9, 193 (1995)
  7. В.Н. Климова. Микроэлектроника, 10, N 5, 457 (1981)
  8. A.E. Iverson and D.L. Smith. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 2098 (1987)
  9. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  10. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  11. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 31, 23 (1997)
  12. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 2189 (1995)
  13. Б.И. Резников. ФТП, 31, 1003 (1997)
  14. Б.И. Резников. ФТТ, 39, 1775 (1997)
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) с. 306
  16. А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
  17. А.С. Фурман. ФТТ, 28, 2083 (1986)
  18. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.