Обнаружено возрастание темнового тока на 2/3 порядка в многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/Al_xGa_1-xAs при x~= 0.4 после освещения структур оптическим излучением (lambda<1.3 мкм), сохраняющееся в течение длительного времени (свыше 10³ c) при пониженных температурах и уменьшающееся вплоть до исходного значения после нагревания образца. Предложена модель барьера с локальным провисанием зоны проводимости, облегчающим туннелирование электронов. Величина провисания и ток возрастают при ионизации присутствующих в барьере локальных скоплений неконтролируемых глубоких уровней и уменьшаются в процессе захвата на них электронов зоны проводимости при нагреве образца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.