Изучалось изменение характеристик ток-напряжение и емкость-напряжение контактов полупроводник-твердый металл (диодов Шоттки GaAs-Ni и GaP-Au) в процессе их непрерывного нагревания. Установлено, что при некоторой температуре вентильные контакты переходят в омические. Такой переход происходит еще до возможного образования рекристаллизованного слоя, характерного для традиционного омического контакта. Температура перехода T_ohm была существенно ниже температуры плавления металла. Исследование вольт-амперных характеристик этих структур, отожженных при различных температурах T_ann и охлажденных до комнатной температуры, показало, что при T_ann, меньших некоторой критической температуры T₀, cвойства структуры практически не изменяются, при T_ohm>T_ann>T₀ структуры остаются вентильными, но в них появляются избыточные токи, а при T_ann>T_ohm структуры необратимо становятся омическими. Предполагается, что после химического взаимодействия металла и приповерхностного слоя полупроводника вновь образованная поверхность приобретает свойства, обеспечивающие омические характеристики контакта металл-полупроводник.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.