Исследована фотопроводимость структур на основе Si : B с блокированной проводимостью по примесной зоне с концентрацией бора в активном слое ~10¹⁸ см^-3. Измерения проводились в диапазоне температур 4.2/10 K при различных интенсивностях возбуждающего излучения 10¹⁰/ 10¹⁵ фотон/см²·с. Фотовозбуждение осуществлялось с помощью излучения полупроводникового лазера на длине волны 5.5 мкм. Обнаружено, что при температурах ниже 6 K и малых напряжениях смещения (<0.5 В) вольт-амперные характеристики имеют пороговый вид. Пороговое напряжение растет с уменьшением температуры и увеличением интенсивности подсветки. С использованием представлений об эффекте Френкеля-Пула в примесной зоне развита модель, позволившая численным образом с точностью выше 5% описать вольт-амперные характеристики структур. В результате установлено, что величина прыжковой проводимости растет с увеличением уровня подсветки, испытывая насыщение. В этих условиях прыжковая проводимость, так же как и в темноте, экспоненциально зависит от электрического поля. Данный факт объясняется разрушением под действием электрического поля примесных (A⁺-A^-) комплексов, возникающих в неравновесных условиях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.