Вышедшие номера
Применение упругого рассеяния света среднего инфракрасного диапазона для исследования процесса внутреннего геттерирования в кремнии, выращенном методом Чохральского
Калинушкин В.П.1, Бузынин А.Н.1, Мурин Д.И.1, Юрьев В.А.1, Астафьев О.В.1
1Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона выполнено исследование влияния процесса внутреннего геттерирования на крупномасштабные дефекты в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и легированном бором. Проведена классификация крупномасштабных дефектов в исходном материале и кристаллах, подвергнутых процедуре внутреннего геттерирования. Показана применимость метода малоуглового рассеяния света как для лабораторных исследований, так и для промышленного контроля операций технологического цикла внутреннего геттерирования.