"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y
Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя элементами V группы, позволяющий определять параметры роста, необходимые для получения соединения определенного состава. На основе предоженного метода проведен термодинамический анализ процесса роста соединений GaxIn1-xPyAs1-y и GaPyAs1-y.
  1. Р. Хекингботом. В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга и К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65
  2. H. Seki, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 78, 342 (1986)
  3. A.S. Jordan, M. Ilegems. J. Phys. Chem. Sol., 36, 329 (1975)
  4. П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988)
  5. M.B. Panish, M. Ilegems. Prog. Sol. St. Chem., 7, 39 (1972)
  6. B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74, 255 (1993)
  7. S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.