Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y
Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Предложен метод термодинамического описания процесса роста при молекулярно-пучковой эпитаксии четверных соединений AIIIBV с двумя элементами V группы, позволяющий определять параметры роста, необходимые для получения соединения определенного состава. На основе предоженного метода проведен термодинамический анализ процесса роста соединений GaxIn1-xPyAs1-y и GaPyAs1-y.
- Р. Хекингботом. В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. Л. Ченга и К. Плога (М., Мир, 1989) с. 65
- H. Seki, A. Koukitu. J. Cryst. Growth, 78, 342 (1986)
- A.S. Jordan, M. Ilegems. J. Phys. Chem. Sol., 36, 329 (1975)
- П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988)
- M.B. Panish, M. Ilegems. Prog. Sol. St. Chem., 7, 39 (1972)
- B.W. Liang, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 74, 255 (1993)
- S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, P.S. Kop'ev, R.N. Kutt, B.Ya. Meltser, S.S. Ruvimov, S.V. Shaposhnikov, L.M. Sorokin, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 8, 347 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
