Оптическая спектроскопия экситонных состояний в диарсениде цинка
Мудрый А.В.1, Трухан В.М.1, Патук А.И.1, Шакин И.А.1, Маренкин С.Ф.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
В интервале температур 4.2-300 K в области края фундаментального поглощения исследованы люминесценция и пропускание монокристаллов диарсенида цинка. При низких температурах обнаружены интенсивные линии люминесценции и поглощения 1.0384 и 1.0488, 1.0507 эВ, относящиеся к основному (n=1) и возбужденным (n=2, n=3) состояниям свободного экситона. На основании водородоподобной модели определена энергия связи свободного экситона ~13.9 мэВ и ширина прямой запрещенной зоны, составившая 1.0523, 1.0459 и 0.9795 эВ при 4.2, 78 и 300 K соответственно.
- В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы AIIBV (М., Наука, 1978)
- V.V. Sobolev, N.N. Syrbu. Phys. St. Sol. (b), 51, 863 (1972)
- V.V. Sobolev, A.I. Kozlov. Phys. St. Sol. (b), 126, K59 (1984)
- С.Ф. Маренкин, А.М. Раухман, Д.И. Пищиков, В.Б. Лазарев. Неорг. матер., 28, 19813 (1992)
- В.А. Морозова, Д.И. Пищиков, В.М. Лосева, О.Р. Кошелев, С.Ф. Маренкин. ФТП, 25, 1664 (1991)
- К. Хакимов, В.С. Вавилов, С.Ф. Маренкин, М.Ю. Хухрянский, В.М. Чукичев. ФТП, 21, 1447 (1987)
- С.Ф. Маренкин, Д.И. Пищиков, В.А. Леонтьева, А.В. Мудрый, В.Г. Соловьева, А.И. Патук, И.А. Шакин. Неорг. матер., 29, 607 (1993)
- A.V. Mudryi, A.I. Patuk, I.A. Shakin, A.E. Kalmykov, S.F. Marenkin, A.M. Raukhman. Mater. Chem. and Phys., 44, 151 (1996)
- J.Z. Wan, J.L. Brevner, R. Leonelli, G. Zhao, J.T. Graham. Phys. Rev. B, 48, 5197 (1993)
- Р.П. Сейсян, М.П. Абдулаев. ФТП, 4, 811 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук