"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельными металлами
Глазов В.М.1, Потемкин А.Я.2, Тимошина Г.Г.1, Михайлова М.С.1
1Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2Московский авиационный институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 2 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

Отмечено, что основной причиной, приводящей к деградации монокристаллов Si после нагрева, являются структурные преобразования, связанные с частичным превращением алмазоподобного Si в кремний со структурой белого олова. Причиной этих превращений, наблюдаемых при высоких давлениях, является возникновение многочисленных очагов концентрации напряжений вследствие анизотропии теплового расширения различно ориентированных микрообъемов кристалла. В этих очагах возможно достижение высоких давлений, необходимых для указанного фазового перехода. Высказано соображение, что предотвращение процесса структурных превращений, приводящих к деградации электрофизических свойств Si, возможно путем легирования его переходными либо редкоземельными металлами, повышающими энергию межатомного взаимодействия и за счет этого уменьшающими коэффициент термического расширения. Выбор легирующих добавок обоснован расчетами энергии связи и зарядовой плотности на основе системы неполяризованных ионных радиусов.
  1. А.Я. Потемкин, И.Е. Сацевич. Влияние термической обработки на физические свойства кремния(М., ОНТИ ГИРЕДМЕТ, 1962)
  2. А.Я. Потемкин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8, 1353 (1972)
  3. И.Т. Баграев, Л.С. Власенко, В.М. Волле и др. ЖТФ, 54, 917 (1984)
  4. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  5. Ю.Н. Таран, В.З. Куцова, К.И. Узлов. Докл. АН УССР. Физ.-мат. и техн. науки, 6, 74 (1987)
  6. P. Pirous, R. Chaim, U. Dahmen, K.H. Westmacott. Acta Metall. Mater., 38, 313 (1990)
  7. В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. Электрон. техн. Сер. 6 --- Материалы. Вып. 4(249), 53 (1990)
  8. В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич. ФТП, 25, 588 (1991)
  9. В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, С.В. Сиротюк, Ю.Н. Таран, Э.С. Фалькевич. ФТП, 27, 1080 (1993)
  10. В.М. Глазов, В.И. Пильдин, А.М. Зубков, В.Б. Кольцов. ФТП, 27, 1605 (1993)
  11. Е.Ю. Тонков. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении (М., Наука, 1979)
  12. В.В. Добровенский, А.Я. Потемкин. ФММ, 17, 83 (1964)
  13. Э.В. Приходько. Металлохимия многокомпонентных систем (М.: Металлургия, 1995)
  14. Э.В. Приходько. Система неполяризованных ионных радиусов и ее использование для анализа строения и свойств веществ (Киев, Наук. думка, 1973)
  15. Э.В. Приходько. Изв. АН СССР. Сер. --- Металлы. N 6, 208 (1981)
  16. Э.В. Приходько, Л.И. Гармаш. Изв. РАН. Сер. --- Металлы. N 1, 59 (1992)
  17. Э.В. Приходько, К.Ю. Сидоренко, В.Б. Кольцов. ЖФХ, 62, 62 (1988)
  18. Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press Inc. Boca Ration, Florida, 1989--1990) p. F197

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.