"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии
Антонова И.В.1, Мисюк А.2, Попов В.П.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной технологии, Варшава, Польша
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Проведено исследование начальной стадии формирования кислородных преципитатов в кремнии с использованием методов DLTS, селективного травления в инфракрасной спектрометрии. Установлено, что формирование кислородных преципитатов при Ta=600/ 960oC идет путем возникновения локальных областей, обогащенных межузельным кислородом. С ростом времени отжига размеры этих областей уменьшаются, а локальная концентрация кислорода в них возрастает и начиная с некоторой критической концентрации кислорода происходит переход к фазе SiO2. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования, приводит к образованию более мелких преципитатов и ускоряет переход к фазе SiO2.
  1. A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  2. J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys., 71, 1073 (1992)
  3. S.W. Hu. Mater. Res. Soc. Symp., 59, 249 (1986)
  4. N. Inoue, K. Wada, J. Osaka. J. Cryst. Crowth, 84, 21 (1987)
  5. G.S. Oehrlein, J.L. Lindstrom, J.M. Corbett. Appl. Phys. Lett., 40, 241 (1982)
  6. A.J.R. de Kock, W.M. Van de Wijgert. Appl. Phys. Lett., 38, 888 (1981)
  7. T.Y. Tan, C.Y. Kung. J. Appl. Phys., 59, 917 (1986)
  8. Defect control in semiconductors (Tokio, 1990) p. 239
  9. H. Harada, T. Abe, J. Chikawa. Semiconductor Silicon, ed. by H.R. Huff, T. Abe, B.O. Kolsen (Electrochem. Soc., Pennington, 1986) p. 76
  10. I.V. Antonova, A. Misiuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev, L.I. Fedina. Physica B (1996) (in press)
  11. И.В. Антонова, А.В. Васильев, В.И. Панов, С.С. Шаймеев. ФТП, 22, 630 (1988)
  12. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев. ФТП, 25, 847 (1991)
  13. S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  14. P. Fraundorf, G.K. Fraundorf, R.A. Craven. In: VLSI Science and Technology 1985, ed. by W.M. Bullis and S. Broydo (Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1985) p. 436
  15. R. Bouchard, J.R. Schneider, S. Gupta, S. Messolaras, R.J. Stewart, H.Nadasawa, W. Zulehner. J. Appl. Phys., 77, 553 (1995)
  16. P. Omling, E.R. Weber, Z. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
  17. V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan, W. Schroter, G. Zoth. Phys. St. Sol. (a), 72, 701 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.