Вышедшие номера
Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии
Антонова И.В.1, Мисюк А.2, Попов В.П.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной технологии, Варшава, Польша
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Проведено исследование начальной стадии формирования кислородных преципитатов в кремнии с использованием методов DLTS, селективного травления в инфракрасной спектрометрии. Установлено, что формирование кислородных преципитатов при Ta=600/ 960oC идет путем возникновения локальных областей, обогащенных межузельным кислородом. С ростом времени отжига размеры этих областей уменьшаются, а локальная концентрация кислорода в них возрастает и начиная с некоторой критической концентрации кислорода происходит переход к фазе SiO2. Гидростатическое давление, используемое на стадии формирования, приводит к образованию более мелких преципитатов и ускоряет переход к фазе SiO2.