"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник
Резников Б.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследована динамика установления электрического поля и тока при освещении высокоомной слабо легированной (чистой) сильно смещенной симметричной структуры металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник монохроматическим собственным светом. Численно решалась система транспортных уравнений в диффузионно-дрейфовом приближении и уравнение Пуассона. На границах полупроводника учтена эмиссия носителей и их поверхностная рекомбинация. Показано, что при включении (выключении) освещения поле в структуре монотонно релаксирует к стационарному распределению. Время установления поля и тока при включении освещения примерно равно времени дрейфа для дырок tdr, рассчитанному по среднему полю Ee=V/d, и не зависит от интенсивности света Ii, коэффициента поглощения и туннельной прозрачности границ раздела Tn, p. Время восстановления темнового тока и поля при выключении света увеличивается с увеличением Ii и уменьшением Tn, p, однако остается порядка tdr. При сильном поглощении и интенсивности, превышающей характерный масштаб, определяющий область слабого экранирования поля, зависимость полного тока от времени немонотонна. При заполнении ловушек на поверхности вблизи электродов начинается аккумуляция носителей, что при достаточно больших Ii и низких Tn, p приводит к скачку поля у анода.
  1. Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 221, 77 (1975)
  2. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицин, Ю.О. Семенов, И.Д. Ярошецкий. Электросвязь, N 10, 37 (1990)
  3. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
  4. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
  5. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
  6. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 31, 23 (1997)
  7. B.I. Reznikov, G.V. Tsarenkov. In: Proc. Fourth Int. Seminar on Simulation of Devices and Technologies (CEFIM--University of Pretoria, 1995) p. 58
  8. М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
  9. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский, В.А. Киселев. ФТТ, 26, 2843 (1984)
  10. В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.К. Кузьмин. ФТТ, 28, 2728 (1986)
  11. А.С. Фурман. ФТП, 22, 2138 (1988)
  12. В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт N 1091 (Л., ФТИ, 1986)
  13. А.И. Руденко. ФТП, 5, 2383 (1971)
  14. Н.В. Климова. Микроэлектроника, 10, N 5, 457 (1981)
  15. Н.А. Кудряшов, С.С. Кучеренко, Ю.И. Сыцько. Мат. моделирование, 1, N 12, 1 (1989)
  16. A.E. Iverson, D.L. Smith. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-34, 2098 (1987)
  17. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  18. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
  19. J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
  20. D.L. Scharfetter, H.K. Gummel. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-16, 64 (1969)
  21. А.А. Самарский. Введение в теорию разностных схем (М., Наука, 1971)
  22. И.Т. Овчинников, Э.В. Яншин. Письма ЖТФ, 8, 355 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.