"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Природа центров Ec-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости
Наумова О.В.1, Смирнов Л.С.1, Стась В.Ф.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Методами DLTS и Ван-дер-Пау проведено исследование формирования центров Ec-0.37 эВ, ответственных за образование высокоомных слоев в облученном электронами и отожженном в температурном интервале 80/ 320oC n-Si. Анализ экспериментальных данных позволил сделать вывод о составе центров Ec-0.37 эВ ([V--O--C]) и заключить, что их формирование стимулировано потоком межузельных атомов кремния (I) и углерода (Ci) от границы раздела в объем полупроводника в процессе отжига с прохождением следующих реакций: 1) I+Cs-> Ci, Ci+[V-O]-> [V-O-C] (доминирующая реакция), 2) I+V2-> V, V+[C-O]-> [V-O-C].
  1. Л.С. Смирнов, С.И. Романов. ФТП, 10, 876 (1976)
  2. Н.Н. Герасименко, Н.П. Кибалина, В.Ф. Стась. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1979) с. 78
  3. А.Л. Асеев, Л.И. Федина, Д. Хеэль, Х. Барч. Скопления межузельных атомов в кремнии и германии (Новосибирск, 1991)
  4. Л.С. Берман, В.Б. Шуман. ФТП, 10, 1755 (1976)
  5. Y.H. Lee, J.W. Corbett, K.L. Brower. Phys. St. Sol. (a), 41, 637 (1977)
  6. B.G. Svenson, J.L. Lindstrom, J.W. Corbett. Appl. Phys. Lett., 47, 841 (1985)
  7. J.L. Lindstrom, B.G. Svenson. In: Mater. Sci. Forum. Defects in Semiconductors (1989) v. 38--41, p. 45
  8. Y.H. Lee, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 13, 2653 (1976)
  9. И.Ф. Лугаков, Т.А. Лукашевич, В.В. Шуша. ФТП, 13, 401 (1979)
  10. R.V. Tayke, B.J. Faraday. In: Symposium in Lattice Defects in Semiconductors (Univ. Tokyo Press., 1966) p. 170
  11. Э.Г. Батыев, Н.Н. Герасименко, А.В. Ефанов. ФТП, 15, 1448 (1981)
  12. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  13. U. Gosel. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 149 (1989)
  14. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1980)
  15. Gr. Davies, E.C. Lightowles, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  16. A. Dornen, R. Sauer, G. Pensl. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 545 (1989)
  17. Л.С. Милевский, Т.М. Ткачева, А.А. Золотухин. В кн.: Межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1980) с. 350
  18. L.C. Kimerling. Sol. St. Commun., 16, 171 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.