"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Получены в параметрическом виде формулы для расчета стационарных люкс-амперных характеристик фоторезисторов при произвольной концентрации глубоких уровней в них и любой интенсивности возбуждения. Расчеты по этим формулам позволяют в безразмерных величинах определять условия формирования сублинейных и суперлинейных участков люкс-амперной характеристики в зависимости от интенсивности возбуждения, концентрации и параметров глубоких уровней.
  1. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  2. А.А. Лебедев. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тез. докл. (Ашхабад, Ылым, 1991)
  3. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  4. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  5. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.