"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости в Ga1-xAlxAs в зависимости от величины поперечного магнитного поля и от состава твердого раствора
Дзамукашвили Г.Э.1, Качлишвили З.С.1, Метревели Н.К.1
1Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 18 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследована вольт-амперная характеристика электронов в условиях динамического междолинного перехода в сильных E normal H полях в твердом растворе Ga1-xAlxAs при плавном уменьшении энергетического зазора Deltavarepsilon между нижней и верхними долинами. Показано, что статическая отрицательная дифференциальная проводимость особенно чувствительна к изменению магнитного поля H при малых величинах Deltavarepsilon. В этом случае увеличение H подавляет статическую отрицательную дифференциальную проводимость. Этим способом можно избавиться от низкочастотных осцилляций Ганна с одновременным сохранением динамической отрицательной дифференциальной проводимости, подавляющейся в субмиллиметровой области спектра.
  1. Г.Э. Дзамукашвили, З.С. Качлишвили, Н.К. Метревели. Письма ЖЭТФ, 62, 220 (1995)
  2. В.Б. Горфинкель, М.Е. Левинштей, Д.М. Машовец. ФТП, 13, 563 (1980)
  3. А.А. Андронов, Г.Э. Дзамукашвили. ФТП, 19, 1810 (1985)
  4. А.А. Андронов, В.А. Валов, В.А. Козлов, Л.С. Мазов. Письма ЖЭТФ, 32, 628 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.