"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов PbTe и Pb0.8Sn0.2Te
Бестаев М.В.1, Горелик А.И.1, Мошников В.А.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

В монокристаллах PbTe и Pb0.8Sn0.2Te с естественной огранкой, легированных цинком и кадмием, проведено исследование распределения элементов. Показано образование многослойной структуры, наружный слой которой представляет собой ZnTe (CdTe), а под ним располагается металлический слой.
  1. Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. Полупроводниковые материалы на основе соединений A-=SUP=-IV-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1975)
  2. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)
  3. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  4. М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, В.А. Мошников. ФТТ, 27, 1868 (1985)
  5. М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, В.А. Мошников. ФТТ, 26, 2200 (1984)
  6. А.В. Новоселова, В.П. Зломанов, А.М. Гаськов, Л.И. Рябова, М.А. Лазаренко. Вестн. МГУ. Химия, 22, N 1, 3 (1982)
  7. М.В. Бестаев, Т.Т. Дедегкаев, Т.Б. Жукова, Н.В. Сиукаев. В сб.: Тез. докл. IV Всес. совещ. по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле (Ин-т ХФ АН СССР, Черноголовка, 1986)
  8. М.В. Бестаев, А.И. Горелик, В.В. Томаев. Изв. СПбГЭТУ, вып. 495, 41 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.