"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние импульсного лазерного облучения на оптические характеристики и фотопроводимость твердых растворов CdHgTe
Головань Л.А.1, Кашкаров П.К.1, Лакеенков В.М.2, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Государственный научно-исследовательский институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Путем численного моделирования процесса облучения Cd0.2Hg0.8Te наносекундными импульсами излучения рубинового лазера определен порог плавления: Wm=40/ 50 мДж/см2 при исходной температуре кристаллов T0=100 K и Wm=30/ 40 мДж/см2 при T0=300 K. Обнаружена лазерно-индуцированная модификация поверхности образца при облучении с плотностью энергии W<Wm, проявляющаяся в гашении стационарной фотопроводимости и росте коэффициента отражения. Лазерное воздействие с W выше порога плавления приводит к дальнейшему росту коэффициента отражения в области до W>~= 100 мДж/см2 и падению при W>110 мДж/см2. При надпороговом облучении зафиксировано монотонное уменьшение сигнала фотопроводимости с ростом плотности энергии излучения лазерного импульса, что может быть объяснено дефектообразованием, вызванным лазерно-индуцированным изменением состава приповерхностной области.
  1. А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  2. П.В. Голошихин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 12 (1991)
  3. C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.N. Neira, A.D. Sequeira, M.F. da Silva, J.C.Soares. J. Vac. Sci. Technol. A., 7, 3258 (1989)
  4. G. Bahir, R. Kalish. Appl. Phys. Lett., 39, 730 (1981)
  5. Л.А. Головань, А. Перес Наварро, П.К. Кашкаров, В.С. Куликаускас, В.Ю. Тимошенко, Н.Г. Чеченин. Поверхность. Физика, химия, механика (в печати)
  6. Г.Г. Громов, С.В. Серегин, С.В. Жук, В.Б. Уфимцев. Физика и химия обраб. материалов, N 4, 19 (1990)
  7. И.С. Вирт, А.С. Любченко, П.Е. Мозоль, В.А. Гнатюк. ФТП, 23, 1386 (1986)
  8. P.E. Mozol, V.V. Borsch, V.A. Gnatyuk, E.P. Kopishynskaya, A.I. Vlasenko. Semicond. Sci. Technol., 10, 61 (1995)
  9. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 6, 5 (1995)
  10. M.M. Jevtic, M.J. vScepanovic. Appl. Phys. A, 53, 332 (1991)
  11. L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29, 6752 (1984)
  12. R.O. Bell, M. Toulemonde, P. Siffert. Appl. Phys., 9, 313 (1979)
  13. J.C. Brice, P. Capper, C.L. Jones. J. Cryst. Growth, 75, 395 (1986)
  14. D. Long, J.L. Schmidt. Semiconductors and Semimetals (1970) v. 5, p. 185
  15. K.C. Demiduk, W.G. Opyd, J.F. Gibbons, T.W. Sigmon, T.J. Magee, R.D. Ormond. J. Vac. Sci. Technol. A, 1, 1661 (1983)
  16. Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖТФ, 21, вып. 23, 26 (1995).
  17. P.K. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko, N.G. Chechenin, A.N. Obraztsov. Laser Physics, 2, 790 (1992)
  18. M. vScepanovic, M. Jevtic. Phys. St. Sol. (a), 147, 379 (1995).
  19. Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.