Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V-измерений в электрохимической ячейке

Шашкин В.И.¹, Каретникова И.Р.¹, Мурель А.В.¹, Нефедов И.М.¹, Шерешевский И.А.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из вольт-фарадных измерений при электрохимическом травлении. Метод дает возможность определять профиль легирования непосредственно от поверхности полупроводника и обеспечивает разрешение на масштабах, меньших радиуса дебаевского экранирования. Результаты численных расчетов подтверждают возможность восстановления профиля легирования полупроводников с разрешением на уровне единиц нанометров.

E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor contacts (1988)
M.M. Faktor, T. Ambridge, E.G. Bremner. Apparatus and method for measuring carrier concentration in semiconductor materials [U.K. Patent Specification No. 1482929 (1975)]
M.M. Faktor, T. Ambridge, C.R. Elliot, J.C. Regnault. Current topics in Material Science, ed. by E. Kuldis (1980) v. 6. p. 1
P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
W.C. Johnson, P.T. Panousis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-18, 965 (1971)
G.J.L. Ouwerling. Sol.-St. Electron., 33, 757 (1990)
K. Iniewski, C.A.T. Salama. Sol.-St. Electron., 34, 309 (1991)
M.F. Kokorev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.F. Zhukov. Abstracts Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 1996) p. 161.
В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
L.H. Holway. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-37, 1104 (1990)
И.В. Ирин. А.В. Мурель. ПТЭ, 6, 150 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель