"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на релаксацию фотопроводимости в кристаллах n-Hg0.8Cd0.2Te
Вирт И.С.1
1Дрогобычский государственный педагогический институт им.И.Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 24 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Исследовано влияние тянущего электрического поля на релаксационные кривые фотопроводимости кристаллов n-Hg0.8Cd0.2Te. Показано, что с увеличением напряженности поля время релаксации медленной компоненты возрастает, а быстрой уменьшается. Уменьшается также и вклад медленной компоненты. Такое поведение затухания фотопроводимости связывается с изменением изгиба энергетических зон в области макродефектов в присутствии электрического поля и с изменением подвода к ним неравновесных носителей заряда.
  1. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  2. А.И. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 28, 1219 (1994)
  3. V.S. Lopes, A.J. Syllaios, M.C. Chen. Semicond. Sci. Technol., 44, 824 (1993)
  4. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
  5. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областью пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.