"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние лазерного облучения на фотопроводимость и шумы в монокристаллах n-CdxHg1-xTe
Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Копишинская Е.П.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследовано влияние лазерного излучения наносекундной длительности на фотопроводимость и 1/f-шум в кристаллах CdxHg1-xTe. Показано, что лазерное облучение вызывает снижение фоточувствительности образцов и коротковолновый сдвиг максимума и длинноволнового края спектра фотопроводимости. Усиление 1/f-шума по интенсивности и частоте связано с возрастанием дефектности материала под действием лазерного облучения.
  1. Б.Д. Луфт. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982)
  2. В.В. Дякин, В.В. Коваль, А.В. Любченко, Е.А. Сальков, В.Г. Чалая. Неорг. матер., 25, 1645 (1989)
  3. И.С. Вирт, А.В. Любченко, П.Е. Мозоль, В.А. Гнатюк. ФТП, 23, 1386 (1989)
  4. С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
  5. А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 434 (1980)
  6. А.И. Власенко, В.В. Горбунов, А.В. Любченко. УФЖ, 29, 423 (1984)
  7. И.С. Бакши, В.Ф. Гринь, Л.А. Карачевцева, Т.З. Кодалашвили, Е.А. Сальников, Б.И. Хижняк. ФТП, 23, 571 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.