Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников

Давыдов С.Ю.¹, Тихонов С.К.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 ноября 1996 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

PDF версия

На основании аналогии между фотоупругими и упругими свойствами полупроводниковых кристаллов получены выражения для модулей фотоупругости. Расчет проделан для широкозонных полупроводников (карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия) со структурой как сфалерита, так и вюрцита. Также рассчитана квадратичная диэлектрическая восприимчивость для гексагональных структур.

Silicon Carbide and Related Materials. Proc. 5th Conf., ed. by M.G. Spencer et al. [Inst. Phys. Conf. Ser., N 137 (Bristol--Philadelphia, 1993)]
J.C. Phillips. Rev. Mod. Phys., 42, 317 (1970)
J.C. Phillips. Phys. Lett., 25A, 727 (1967)
P.N. Keating. Phys. Rev. B, 145, 637 (1966)
P.N. Keating. Phys. Rev. B, 149, 674 (1966)
С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ, 30, 1326 (1988)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 3044 (1995)
У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 24, 5835 (1981)
W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 683 (1996)
R.S. Leigh, B. Szigeti. Proc. Roy. Soc. (London), A301, N 1465, 211 (1967).
Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. Основы кристаллофизики (М., Наука, 1975)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутях, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
R.M. Martin. Phys. Rev. B, 1, 4005 (1970)
R.M. Martin. Phys. Rev. B, 6, 4546 (1972)
А.И. Губанов, С.Ю. Давыдов. ФТТ, 17, 1463 (1975)
С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 2221 (1995)
Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева и Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991).
F.N.H. Robinson. Phys. Lett., 26A, 435 (1968)
J. Miragliotta, W.A. Bryden, T.J. Kistenmacher, D.K. Wickenden. In: Silicon Carbide and Related Materials. Proc. 5th Conf., ed by M.G. Spencer et al. [Inst. Phys. Conf. Ser., N 137 (Bristol--Philadelphia, 1993) p. 537]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель