"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Об особенностях радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt>
Юнусов М.С.1, Каримов М.1, Аликулов М.1, Ахмадалиев А.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Сабиров С.С.1
1Институт ядерной физики академии наук Узбекистана Улугбек, Узбекистан
Поступила в редакцию: 31 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Обсуждаются результаты исследования радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt> методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Показано существенное влияние наличия исходной примеси B и Pt на эффективность образования радиационных центров (особенно с энергией Ev+0.36 эВ). Это явление объясняется наличием в p-Si<B,Pt> электрически нейтральных комплексов <собственный межузельный атом>--примесь, которые в процессе gamma-облучения, эффективно распадаясь, влияют на характер квазихимиеских реакций радиационного дефектообразования.
  1. А.А. Лебедев, Н.А. Султанов. ФТП, 22, 16 (1988)
  2. Y.K. Kwon, T. Ishikawa, H. Kuwano. J. Appl. Phys., 61, 1055 (1987)
  3. М.Ю. Юнусов, А. Ахмадалиев, С.С. Сабиров. ФТП, 29, 665 (1995)
  4. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1987)
  5. Сб.: Вопросы радиационной технологии полупровдников (Новосибирск, Наука, 1980)
  6. G.D. Watkins. The lattice vacancy in Silicon ( Deep centers in Semiconductors) (N.Y., Academy Press, 1986) Ch. III, p. 147

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.