Об особенностях радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt>
Юнусов М.С.1, Каримов М.1, Аликулов М.1, Ахмадалиев А.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Сабиров С.С.1
1Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 31 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Обсуждаются результаты исследования радиационного дефектообразования в p-Si<B,Pt> методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Показано существенное влияние наличия исходной примеси B и Pt на эффективность образования радиационных центров (особенно с энергией Ev+0.36 эВ). Это явление объясняется наличием в p-Si<B,Pt> электрически нейтральных комплексов <собственный межузельный атом>-примесь, которые в процессе gamma-облучения, эффективно распадаясь, влияют на характер квазихимиеских реакций радиационного дефектообразования.
- А.А. Лебедев, Н.А. Султанов. ФТП, 22, 16 (1988)
- Y.K. Kwon, T. Ishikawa, H. Kuwano. J. Appl. Phys., 61, 1055 (1987)
- М.Ю. Юнусов, А. Ахмадалиев, С.С. Сабиров. ФТП, 29, 665 (1995)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1987)
- Сб.: Вопросы радиационной технологии полупровдников (Новосибирск, Наука, 1980)
- G.D. Watkins. The lattice vacancy in Silicon ( Deep centers in Semiconductors) (N.Y., Academy Press, 1986) Ch. III, p. 147
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
