"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние марганца на радиационную деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния
Талипов Ф.М.1
1Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Изучено влияние легирования марганцем в процессе выращивания на деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния при gamma-облучении. Показано, что независимо от способа легирования наличие марганца приводит к уменьшению скорости накопления радиационных дефектов. Это объясняется образованием комплексов марганца, играющих роль центров непрямой аннигиляции радиационных дефектов.
  1. М.К. Бахадырханов, С. Зайнабидинов, А.Т. Тешабаев. ФТП, 11, 285 (1977)
  2. Ф.М. Талипов. ФТП, 24, 1472 (1990)
  3. С.М. Городецкий, М.А. Литовский. ФТП, 23, 580 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.