Вышедшие номера
Особенности низкотемпературной термоэдс p-BiTe3 и Te при электронно-топологических переходах под давлением
Ицкевич Е.С.1, Каширская Л.М.1, Крайденов В.Ф.1
1Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Проведены измерения термоэдс узкозонных полупроводников p-rmBi2rmTe3 и Te при гидростатическом давлении до 2.5 ГПа при гелиевых температурах. Наблюдавшиеся зависимости коррелируют с данными, полученными при исследовании осцилляций Шубникова-де-Гааза. Это позволяет использовать термоэдс для поиска электронно-топологических переходов в полупроводниках.