"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование квазипериодического распределения бора в кремнии, инициированное ионной имплантацией
Мясников А.М.1, Ободников В.И.1, Серяпин В.Г.1, Тишковский Е.Г.1, Фомин Б.И.1, Черепов Е.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Определен температурный интервал, в котором наблюдается возникновение осциллирующих распределений примеси в сильно легированном бором кремнии, облученном ионами B+. Предполагается, что эффект связан с процессами кластеризации бора, которые наиболее эффективно происходят в районе максимума распределения имплантированной примеси и на границах возмущенной облучением области.
  1. А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г. Тишковский, Б.И. Фомин, Е.И. Черепов. Письма ЖЭТФ, 60, 96 (1994)
  2. Х. Риссел, Н. Рунге. Ионная имплантация (М., Наука, 1983)
  3. G.D. Watkins. Radiation Damage in Semiconductors (Dunod: Paris. 1964) p. 97
  4. G. Watkins. Lattice Defects in Semicond., Conf. Ser. No 23. (Inst. of Phys., London--Bristol, 1975) p. 1
  5. Л.И. Федина, А.Л. Асеев. ФТТ, 32, 60 (1990)
  6. H. Ryssel, K. Muller, K. Haberger, R. Henkelmann, F. Jahnel. Appl. Phys., 22, 35 (1980)
  7. V.E. Borisenko, S.G. Yudin. Phys. St. Sol. (a), 101, 123 (1987)
  8. W.K. Hofker, H.W. Werner, D.P. Oosthoek, H.A.M. de Grefte. Appl. Phys., 2, 265 (1973)
  9. M.G. Dowsett, E.A. Clark, M.N. Lewis. Proc. 6th Int. Conf. SIMS-VI (1988) p. 725

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.