Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Квазистатическая емкость МОП полевого транзистора при насыщении дрейфовой скорости носителей
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Рассматривается влияние насыщения дрейфовой скорости носителей на вольт-фарадные характеристики затворных емкостей Cgs, Cgd МОП транзистора. Проведено аналитическое исследование вольт-фарадных характеристик для трех различных аппроксимаций зависимости дрейфовой скорости носителей от поля nu(E). Показано, что вольт-амперная характеристика может быть вычислена с удовлетворительной точностью с помощью наиболее простой кусочно-линейной аппроксимации. Напротив, вольт-фарадные характеристики должны вычисляться на основе более реалистичных аналитических зависимостей nu (E), поскольку грубая кусочно-линейная аппроксимация в этом случае приводит к серьезным погрешностям. Сравнение экспериментальных вольт-фарадных характеристик с теоретическими может послужить критерием оценки реального закона насыщения дрейфовой скорости.
- J.K. Meyer. RCA Rev., 32, 42 (1971)
- M. Shur. Physics of Semiconductor Devices (Engelwood Cliffs, HJ, Prentice-Hall, USA, 1990)
- D.E. Ward, R.W. Datton. IEEE J. Sol. St. Circuits, SC-12 (1978)
- K.M. Rho, K. Lee, M. Shur, T.A. Fjeldly. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 131 (1993)
- M. Shurm, T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, K. Lee. Sol. St. Electron., 35, 1795 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
