"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квазистатическая емкость МОП полевого транзистора при насыщении дрейфовой скорости носителей
Черемисин М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Рассматривается влияние насыщения дрейфовой скорости носителей на вольт-фарадные характеристики затворных емкостей Cgs, Cgd МОП транзистора. Проведено аналитическое исследование вольт-фарадных характеристик для трех различных аппроксимаций зависимости дрейфовой скорости носителей от поля nu(E). Показано, что вольт-амперная характеристика может быть вычислена с удовлетворительной точностью с помощью наиболее простой кусочно-линейной аппроксимации. Напротив, вольт-фарадные характеристики должны вычисляться на основе более реалистичных аналитических зависимостей nu (E), поскольку грубая кусочно-линейная аппроксимация в этом случае приводит к серьезным погрешностям. Сравнение экспериментальных вольт-фарадных характеристик с теоретическими может послужить критерием оценки реального закона насыщения дрейфовой скорости.
  1. J.K. Meyer. RCA Rev., 32, 42 (1971)
  2. M. Shur. Physics of Semiconductor Devices (Engelwood Cliffs, HJ, Prentice-Hall, USA, 1990)
  3. D.E. Ward, R.W. Datton. IEEE J. Sol. St. Circuits, SC-12 (1978)
  4. K.M. Rho, K. Lee, M. Shur, T.A. Fjeldly. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 131 (1993)
  5. M. Shurm, T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, K. Lee. Sol. St. Electron., 35, 1795 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.