Структура и электропроводность пленок поликристаллического кремния, полученных молекулярно-лучевым осаждением с сопутствующей низкоэнергетической ионной бомбардировкой поверхности роста
Павлов Д.А.1, Хохлов А.Ф.1, Шунгуров Д.В.1, Шенгуров В.Г.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Изучено влияние условий получения пленок поликристаллического кремния методом молекулярно-лучевого осаждения на их структуру и электропроводность. Показано, что приложение к подложке отрицательного относительно кремниевого источника напряжения в интервале от 50 до 300 В приводит к формированию более совершенных пленок по сравнению с пленками, полученными в обычных условиях. Они имеют также более высокую электропроводность. Полученные данные объясняются влиянием бомбардировки растущей пленки ионами легирующей плимеси.
- Ф.Л. Эдельман. Структура компонентов БИС (Новосибирск, Наука, 1980)
- В.М. Колешко, А.А. Ковалевский Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике (Минск, Наука, 1978)
- Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. ФТП, 29, 286 (1995)
- П.В. Павлов, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров, А.В. Кожухов. Поверхность, N 11, 153 (1990)
- В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов. Поверхность, N 12, 98 (1993)
- В.С. Постников, И.В. Золотухин, В.Н. Моргунов, В.М. Иевлев. ФММ, 29, 441 (1970)
- R.V. Kruzelecky, D. Racansky, S. Zukotynski, Y.C. Koo, J.M. Peza. J. Non-Cryst. Sol., 104, 237 (1988)
- Ф.С. Лютович. Рост кристаллов, 14, 34 (1983)
- А.В. Кожухов, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, Б.М. Туровский, С.А. Чесноков. Поверхность, N 3, 160 (1989)
- Ю.Д. Чистяков, И.В. Коробов, В.О. Филипенко и др. Электрон. техн., N 9, 38 (1975)
- M. Marinov. Thin Sol. Films, 46, 267 (1977)
- H.R. Kaufmann, R.S. Robinson. J. Vac. Sci. Tech., 16, 179 (1979)
- G.E. Beoker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.