Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом вакуумной сублимации на подложках 6H-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Изучалось влияние технологических параметров на структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 6H-SiC методом вакуумной сублимации. Показано, что при постоянной температуре и использовании практически неразориентированных подложек уменьшение скорости роста ведет к увеличению размеров двойниковых областей в пленках и уменьшению общей дефектности структур 3C/6H. Получены эпитаксиальные слои 3C-SiC с плотностью дефектов 101/102rmсм-2 и площадью двойников до 6 мм2.
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Широкозонные полупроводники (Л., 1979) с. 164
- D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 12, 2361 (1979)
- V. Shields, K. Fekade, M. Spencer. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf., Ser., 137, 21 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- H. Matsunami, S. Nishino, H. Ono, IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 1235 (1981)
- J.A. Powell, J.B. Petit, L.G. Matus, S.E. Lempner. Proc. 3rd Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys., 56, 313 (1992)]
- K.Nishino, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 33 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- J. Yang, S. Nishino, J. Powell, D. Pizouz. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 25 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- K. Furukawa, Y. Tajima, H. Saito, Y. Fujii. Japan. J. Appl. Phys., 32, L645
- J.A. Powell, D.J. Larkin. J.B. Petit, J.H. Edgar. Proc. 4th Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys. 71, 23 (1993)]
- H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- А.Ю. Максимов, А.А. Мальцев, Н.К. Юшин. Письма ЖТФ, 20, 50 (1994)
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng. B, 11, 113 (1992)
- М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 10, 1768 (1984)
- М.Г. Рамм, Е.Н. Мохов, Р.Г. Веренчикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2233 (1979)
- А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 7, 247 (1981).
- A.N. Andreev, N.Yu. Smirnova, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Proc. 6th SiC and Related Materials Conf. (Kyoto, 1995)
- J.A. Powell, J.B. Petit, J.B. Edgar, I.G. Jenkins, L.G. Matus, J.W. Yang, P. Pirouz, W.J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan. Appl. Phys. Lett., 59, 333 (1991)
- T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 95 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 55 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
- A. Iton, H. Akita, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 5 (Bristol and Philadelphia, 1994)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
