"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных методом вакуумной сублимации на подложках 6H-SiC
Андреев А.Н.1, Смирнова Н.Ю.1, Трегубова А.С.1, Щеглов М.П.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Изучалось влияние технологических параметров на структурное совершенство эпитаксиальных слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 6H-SiC методом вакуумной сублимации. Показано, что при постоянной температуре и использовании практически неразориентированных подложек уменьшение скорости роста ведет к увеличению размеров двойниковых областей в пленках и уменьшению общей дефектности структур 3C/6H. Получены эпитаксиальные слои 3C-SiC с плотностью дефектов 101/102rmсм-2 и площадью двойников до 6 мм2.
  1. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, В.И. Соколов. В сб.: Широкозонные полупроводники (Л., 1979) с. 164
  2. D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 12, 2361 (1979)
  3. V. Shields, K. Fekade, M. Spencer. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf., Ser., 137, 21 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  4. H. Matsunami, S. Nishino, H. Ono, IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 1235 (1981)
  5. J.A. Powell, J.B. Petit, L.G. Matus, S.E. Lempner. Proc. 3rd Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys., 56, 313 (1992)]
  6. K.Nishino, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 33 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  7. J. Yang, S. Nishino, J. Powell, D. Pizouz. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 25 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  8. K. Furukawa, Y. Tajima, H. Saito, Y. Fujii. Japan. J. Appl. Phys., 32, L645
  9. J.A. Powell, D.J. Larkin. J.B. Petit, J.H. Edgar. Proc. 4th Int. Conf. on Amorph. and Cryst. SiC [Springer Proc. Phys. 71, 23 (1993)]
  10. H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  11. А.Ю. Максимов, А.А. Мальцев, Н.К. Юшин. Письма ЖТФ, 20, 50 (1994)
  12. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng. B, 11, 113 (1992)
  13. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. Матер., 10, 1768 (1984)
  14. М.Г. Рамм, Е.Н. Мохов, Р.Г. Веренчикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2233 (1979)
  15. А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 7, 247 (1981).
  16. A.N. Andreev, N.Yu. Smirnova, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Proc. 6th SiC and Related Materials Conf. (Kyoto, 1995)
  17. J.A. Powell, J.B. Petit, J.B. Edgar, I.G. Jenkins, L.G. Matus, J.W. Yang, P. Pirouz, W.J. Choyke, L. Clemen, M. Yoganathan. Appl. Phys. Lett., 59, 333 (1991)
  18. T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 95 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  19. H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 45 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  20. T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 55 (Bristol and Philadelphia, 1994)]
  21. A. Iton, H. Akita, T. Kimoto, H. Matsunami. Proc. 5th SiC and Related Materials Conf. (Washington, D.C., 1993) [Inst. Phys. Conf. Ser., 137, 5 (Bristol and Philadelphia, 1994)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.