Скипетров Е.П.1, Некрасова А.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Исследовано влияние облучения электронами (Trmirr~=300 K, E=6 МэВ, Phi=<4·1017rmсм-2) на электрофизические свойства rmPb1-xrmSnxrmTe n-типа. Показано, что облучение вызывает уменьшение концентрации электронов и n-p-конверсию типа проводимости. Определена разностная скорость генерации дефектов донорного и акцепторного типа при облучении. На зависимостях электрофизических параметров облученных образцов от температуры и магнитного поля обнаружены аномалии, связанные с возникновением поверхностного слоя, обогащенного дырками, при облучении.
- Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, 24, 51 (1990)
- Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП 26, 888 (1992)
- А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, В.И. Сидоров, Е.П. Скипетров. Неорг. матер., 28, 2272 (1992)
- R.L. Petritz. Phys. Rev. 110, 1254 (1958)
- В.И. Петровский, Н.Н. Соловьев, Э.М. Омельяновский, В.С. Ивлева. ФТП, 12, 1904 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
