"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x~= 2)
Скипетров Е.П.1, Некрасова А.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Исследовано влияние облучения электронами (Trmirr~=300 K, E=6 МэВ, Phi=<4·1017rmсм-2) на электрофизические свойства rmPb1-xrmSnxrmTe n-типа. Показано, что облучение вызывает уменьшение концентрации электронов и n-p-конверсию типа проводимости. Определена разностная скорость генерации дефектов донорного и акцепторного типа при облучении. На зависимостях электрофизических параметров облученных образцов от температуры и магнитного поля обнаружены аномалии, связанные с возникновением поверхностного слоя, обогащенного дырками, при облучении.
  1. Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, 24, 51 (1990)
  2. Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП 26, 888 (1992)
  3. А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, В.И. Сидоров, Е.П. Скипетров. Неорг. матер., 28, 2272 (1992)
  4. R.L. Petritz. Phys. Rev. 110, 1254 (1958)
  5. В.И. Петровский, Н.Н. Соловьев, Э.М. Омельяновский, В.С. Ивлева. ФТП, 12, 1904 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.