Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности явлений переноса в эпитаксиальных пленках n-Mn_xHg_1-xTe/Cd_0.96Zn_0.04Te

Бекетов Г.В.¹, Беляев А.Е.¹, Витусевич С.А.¹, Каверцев С.В.¹, Комиренко С.М.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 11 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводятся результаты исследования образцов, полученных путем вырашивания методом жидкофазной эпитаксии пленок Mn_xHg_1-xTe на подложке Cd_0.96Zn_0.04Te. Показано, что в результате диффузии кадмия из подложки образуется пленка Cd_xMn_yHg_1-x-yTe с варизонным слоем вблизи поверхности раздела < эпитаксиальная пленка >-подложка. Обнаружено проявление этой варизонности в явлениях переноса. Из результатов теоретического анализа температурных зависимостей концентрации свободных носителей и их подвижности определена температурная зависимость ширины запрещенной зоны E_g(T) в линейном приближении по T. Показано что использование усреднения полуэмпирических зависимостей для крайних по составу тройных соединений в рамках приближения виртуального кристалла может приводить к большим погрешностям при определении E_g(T) в конкретном полупроводнике.

J.M. Pawlikowski, E. Popko. Sol. St. Commun., 22, 4,231 (1977)
Shojiro Takeyama, Shin-ichiro Narita. J. Phys. Soc. Japan, 55, 1, 274 (1986)
S.M. Komirenko. Semicond. Sci. Techn., 9, 19 (1994)
J.J. Dubowski, T. Dietl, W. Shymanska, R.R. Galazka. J. Phys. Chem. Sol., 42, 351 (1981)
D.S. Montgomery. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, 2923
Wafaa A. Gobba, J.D. Patterson, S.L. Lehoczky. Infr. Phys., 34, 311 (1993)
W. Szymanska, T. Dietl. J. Phys. Chem. Sol., 39, 1025 (1978)
M. Grynberg, R. Le Toullec, M. Balkanski. Phys. Rev. B, 9, 517 (1974)
Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. Полупроводниковые твердые растворы rmA^rmIIrmB^rmVI, и их применение (М., Воениздат, 1982)
M.H. Weiler. Semicond. Semimet., 16, 119 (1981)
J. Kaniewski, A. Mysielski. Sol. St. Commun., 41, 959 (1982)
T. Kendelwicz. Sol. St. Commun., 36, 127 (1980)
R. Dornhaus, G. Nimtz. The Properties and Applications of the rm CdHgTe, Alloy System. Narrow Gap Semiconductors (Berlin, Springer, 1983)
S.M. Durbin, J. Han, O. Sungki, M. Kobayachi, D.R. Menke, R.L. Gunshor, Q. Fu, N. Pelekanos, A.V. Nurmikko, D. Li, J. Gonsalves, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 55, 2087 (1989)
P.I. Baranskii, O.P. Gorodnichii, N.V. Shevchenko. Infr. Phys., 30, 259 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель