"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках SiO2 в сильных электрических полях
Гадияк Г.В.1
1Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Предлагается новая теоретическая модель для описания поведения водорода при инжекции электронов из контактов в тонких пленках rmSiO2 в сильных полях. Горячие электроны выбивают с оборванных связей SiO-, Si- водород, создавая ловушки для электронов и дырок. Выполнены расчеты по перераспределению водорода и накоплению заряда в rmSiO2. Из обработки экспериментальных данных [3] определены сечения реакции образования водорода sigmarmH~=6·10-20 rmсм2 и частота фотогенерации водорода nurmph=2·10-6 rmс-1. Дано объяснение накоплению аномального положительного заряда в пленке rmSiO2.
  1. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев rmSiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
  2. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
  3. D.A. Buchanan, D.J. DiMaria, A.D. Marwick, L. Dory. J. Appl. Phys., 76, 3595 (1994)
  4. C. Bulucea. Sol. St. Electron, 18, 467 (1975)
  5. M. Fischetti, R. Gastaldi, F. Maggioni, A. Modelli. J. Appl. Phys., 53, 3129 (1982)
  6. M. Fischetti, R. Gastaldi, F. Maggioni, A. Modelli. J. Appl. Phys., 53, 3135 (1982)
  7. S.K. Lai. J. Appl. Phys., 54, 2540 (1983)
  8. C.T. Sah, Y.C. Cun, J.T. Tzou. J. Appl. Phys., 54, 2547 (1983)
  9. R. Gale, F.J. Feigle, C.W. Magge. J. Appl. Phys., 54, 6938 (1983)
  10. Ю.В. Горелкинский, Н.Н. Невинный, Е.А. Люц. Поверхность, 6, 79 (1994)
  11. M.V. Fischetti, D.J. DiMaria, S.D. Brorson, T.N. Theis, J.R. Kirtley. Phys. Rev. B., 31, 8124 (1985)
  12. Г.В. Гадияк, С.П. Синица, И.В. Травков. Микроэлектроника, 15, 448 (1988)
  13. C.T. Sah, Sol. St. Electron., 33, 147 (1990)
  14. V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. Phys. St. B., 135, 369 (1986)
  15. M.V. Fischetti. Phys. Rev. B., 31, 2099 (1985).
  16. G.V. Gadiyak, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.A.Perchilo. Technical Digest 1993, Int. Conf. on VLSI and CAD (Taejon, Korea, November 15--17, 1993) P. 159
  17. J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins. Adv. Electron. and Electron Phys., 58, 1 (1981).
  18. В.А. Гуртов, А.И. Назаров, И.В. Травков. ФТП, 24, 969 (1990)
  19. Г.В. Гадияк. Автометрия, 4, 31 (1995)
  20. K.F. Schuegraft, C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 761 (1994)
  21. D.A. Buchanan, M.V. Fischetti, D.J. DiMaria. Phys. Rev. B., 43, 1471 (1991)
  22. А.Е. Бендер, Г.Б. Семушкин, К.Л. Темников. Электрон. техн., 6, 53 (1988)
  23. H.S. Withan, P.M. Lenahan. Appl. Phys. Lett., 51, 1007 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.