Исследованы спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов с однородным и микроплазменным пробоем, изготовленных на кристаллах карбида кремния кубической модификации SiC-3C. В спектрах излучения отдельных микроплазм обнаружена при комнатной температуре явно выраженная периодическая структура, имеющая характер осцилляций с периодом 0.1-0.5 эВ. Амплитуда полос возрастает с ростом периода и при максимальной его величине превышает амплитуду фонового излучения. Аналогичная структура обнаружена также в спектрах отдельных микроплазм на SiC-6H. Предполагается, что структура обусловлена действием сильного электрического поля в области формирования излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.