Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов на карбиде кремния

Белоус М.В.¹, Генкин А.М.¹, Генкина В.К.¹, Гусева О.А.¹

¹Киевский политехнический институт Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 17 октября 1995 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов с однородным и микроплазменным пробоем, изготовленных на кристаллах карбида кремния кубической модификации SiC-3C. В спектрах излучения отдельных микроплазм обнаружена при комнатной температуре явно выраженная периодическая структура, имеющая характер осцилляций с периодом 0.1-0.5 эВ. Амплитуда полос возрастает с ростом периода и при максимальной его величине превышает амплитуду фонового излучения. Аналогичная структура обнаружена также в спектрах отдельных микроплазм на SiC-6H. Предполагается, что структура обусловлена действием сильного электрического поля в области формирования излучения.

А.М. Генкин, В.Н. Родионов. ФТП, 13, 789 (1979)
А.О. Константинов. ФТП, 21, 670 (1987)
Л.А. Косяченко, А.В. Пивовар, В.М. Склярчук. ЖПС, 36, 236 (1982)
W.R.L. Lambrecht, W.R. Segall, W. Suttrop. Appl. Phys. Lett. 63, 2747 (1993)
M. Rohlfing, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B. 45, 17 791 (1992)
J. Bude, N. Sanco, A. Yoshii. Phys. Rev. B, 45, 5848 (19992)
Ю.М. Алтайский, А.М. Генкин, В.К. Генкина, Л.Г. Огнева. Электрон. техн., сер. 2, вып. 4 (190), 76 (1987)
В.С. Вавилов, В.Б. Стопачинский, В.Ш. Чанбарисов. ФТТ, 8, 2660 (1965)
B.T. French. Phys. Rev., 174, 991 (1968)
R.W. Koss, L.M. Lambert. Phys. Rev. B, 5, 1479 (1973)
K. Gibb, M.M. Dignam, J.E. Sipe et al. Phys. Rev. B, 48, 8156 (1993)
K. Niizeki, A. Matsumura. Phys. Rev. B, 48, 4126 (1993)
Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 705 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель