Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца

Заячук Д.М.¹

¹Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина

Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Критически проанализировано современное состояние вопроса о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца. Показано, что в большинстве известных на данное время работ роль кулоновского потенциала вакансий и деформационного потенциала акустических фононов в процессах рассеяния носителей в PbTe сильно завышалась. Кроме того, роль оптических колебаний решетки при высоких температурах неоправданно сводилась только к полярной составляющей. Показано, что наряду с этим механизмом существенную роль в процессах рассеяния носителей при температурах порядка комантной, играет деформационный потенциал оптических фононов, роль которого при высоких концентрациях носителей оказывается наиболее существенной.

Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
Yu.I. Ravich, B.A. Efimova, V.I. Tamarchenko. Phys. St. Sol. (b), 43, 11 (1971); 43, 453 (1971)
W. Szymanska. Postepy Fizyki, 26, 5 (1975)
L. Palmetshofer, K.H. Gresslehuer, L. Ratschbacher, A. Lopez-Otero. Lect. Not. Phys., 152, 391 (1982)
G. Nimtz, B. Schlicht. Narrow-gap semiconductors (Berlin, 1985) p. 1
R. Granger, A. Lasbley, C.M. Pelletier, S. Rolland. J. Physique, 46, 1185 (1985)
Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства (Киев, Наук. думка, 1984)
Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
O.A. Pankratov, P.P. Povarov. Sol. St.Commun., 66, 847 (1988)
K. Cuff, M. Ellet, C. Kuglin, C. Williams. Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (Paris, 1964) p. 690
E.Palik,D. Mitchell, J. Zemel. Phys. Rev. A, 135, 763 (1964)
Д.М Заячук, В.И. Микитюк, П.М. Старик. ФТП, 20, 1679 (1986)
H. Kawamura. Lect. Not. Phys., 150, 470 (1980)
G. Dionne, J.C. Wooley. Phys. Rev. B, 6, 3898 (1972)
B. Houston, R.E. Strakna, H.S. Belson. J. Appl. Phys., 39, 3913 (1968)
N.J. Parada, G.W. Pratt. Phys. Rev. Lett., 22, 180 (1969)
Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ЖЭТФ, 88, 280 (1985)
Д.М. Заячук, В.И. Микитюк, В.А. Шендеровський. Доповiдi АН УССР, Сер. А, N 8, 57 (1990)
Л.Я. Морговский, Ю.И. Равич. ФТП, 5, 974 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель