Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки на основе SiC
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
Исследована фоточувствительность диода Шоттки Al-SiC в области энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, а также меньше высоты потенциального барьера на контакте с металлом. Обнаруженные особенности зависимостей фототока от энергии фотонов и от приложенного напряжения трактуются в рамках модели, учитывающей фотовозбуждение электронов в металле и их последующее прохождение в полупроводник как над барьером, так и посредством туннелирования сквозь него.
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Л.А. Косяченко, Н.М. Панькив, А.В. Пиворар, В.М. Склярчук. УФЖ, 27, 101 (1982)
- R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
- R.J. Archer, T.O. Yep. J. Appl. Phys., 41, 303 (1970)
- И.С. Кабанова, Л.А. Косяченко, В.П. Михний. ФТП, 21, 2087 (1987)
- R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Roy. Soc., A119, 173 (1928)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук