"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности фотоэмиссии электронов из металла в диодах Шоттки на основе SiC
Косяченко Л.А.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 24 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Исследована фоточувствительность диода Шоттки Al--SiC в области энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны полупроводника, а также меньше высоты потенциального барьера на контакте с металлом. Обнаруженные особенности зависимостей фототока от энергии фотонов и от приложенного напряжения трактуются в рамках модели, учитывающей фотовозбуждение электронов в металле и их последующее прохождение в полупроводник как над барьером, так и посредством туннелирования сквозь него.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  2. Л.А. Косяченко, Н.М. Панькив, А.В. Пиворар, В.М. Склярчук. УФЖ, 27, 101 (1982)
  3. R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  4. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
  5. R.J. Archer, T.O. Yep. J. Appl. Phys., 41, 303 (1970)
  6. И.С. Кабанова, Л.А. Косяченко, В.П. Михний. ФТП, 21, 2087 (1987)
  7. R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Roy. Soc., A119, 173 (1928)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.