"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Численное моделирование явления нестабильности микроплазмы
Дацко Б.И.1
1Институт прикладных проблем механики и математики Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 9 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Основные особенности явления протекания тока в виде микроплазменных импульсов подтверждены численным моделированием предложенной математической модели. Показано, что микроплазма может спонтанно возникать при наличии в области пространственного заряда p-n-структуры локальной неоднородности, а возрастание температуры структуры в результате джоулева разогрева --- приводить к подавлению микроплазмы. Численно изучены кинетика микроплазменных импульсов, их форма и длительность в зависимости от приложенного напряжения и параметров полупроводниковой структуры.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. Р.В. Конакова, П. Кордаш, и др. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов, под ред. Ю.А. Тхорика (Киев, Наук. думка, 1986)
  3. В.В. Гафийчук, Б.И. Дацко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 24, 724 (190)
  4. В.А. Ващенко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов, В.Ф. Синкевич. ФТП, 24, 2100 (1990)
  5. В.В. Гафийчук, Б.И. Дацко, Б.С. Кернер, В.В. Осипов. ФТП, 24, 1282 (1990)
  6. Б.С. Кернер, Б.В. Осипов. УФН, 157, 201 (1989)
  7. P.L. Hower, K.G. Reddi. IEEE Trans., Electron. Dev., ED-17, 320 (1970)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.